一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻

1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体二极管 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性 二、了解二极管、稳压管工 三、会分析含有二极管的电路

第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管

3.1半导体三极管 3.2共射极放大电路 3.3图解分析法 3.4小信号模型分析法 3.5放大电路的工作点稳定情况 3.6共集电极电路和共基极电路 3.7放大电路的频率响应

▪1、PN结的原理和二极管的等效电路。 ▪2、半导体内部载流子运动规律。 ▪3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应 管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路