重点掌握ROM/RAM的电路结构,工作 原理和主要控制端的功能, 掌握ROMRAM位扩展和字扩展的方法 掌握ROM(RAM)的基本应用  第1、2学 时：半导体存储器RAM、ROM  第3、4学 时：ROM、RAM的应用  第5、6学 时：PLD（PAL、PLA、GAL）

第1章 半导体二极管及其应用电路 第2章 半导体三极管及其放大电路 第3章 场效应管及其放大电路 第4章 负反馈放大电路 第5章 集成运算放大器 第6章 信号产生电路 第7章 功率放大电路 第8章 直流稳压电源 第9 章 模拟电子技术在实际中的应用

一、半导体三极管 二、放大电路的图解分析法 三、放大电路的小信号模型分析法 四、放大电路工作点稳定 五、共集电极和共基极电路 六、放大电路的频率响应 七、放大电路的瞬态响应

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

5.1 典型半导体材料晶体结构类型 5.2 半导体材料晶体结构与性能 5.3 电子材料中其他几种典型晶体结构 5.4 固溶体晶体结构 5.5 液晶的结构及特征 5.6 纳米晶体的结构及特征

一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻

1. 半导体的导电特性 2. PN结及其单向导电性 3. 二极管 4. 稳压二极管 5. 双极型晶体管 6. 光电器件

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体二极管 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性 二、了解二极管、稳压管工 三、会分析含有二极管的电路

第三讲半导体极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压极管