1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:

经典力学对金属中电子的处理 特鲁特一洛伦兹金属电子论:金属体中的电子和分子气体一样,在一定温度下达到热平衡,电子气 体可以用确定的平均速度和平均自由程来描述。这样不考虑电子与电子之间、电子与离子之间的相 互作用,由此建立起来的是自由电子模型。 应用经典力学和电子气体服从经典麦克斯一玻尔兹曼统计分布规律,对金属中的电子进行计算

6.2功函数和接触势差 1.热电子发射和功函数 实验指出,热电子发射电流密度:j~e-W:功函数金属中,电子处于势阱高度为X(正离子的吸引),如图XCH006008所示,当电子从外界获得足够的能量,有可能脱离金属,产生热电子发射电流

1.3晶向、晶面和它们的标志 1.3.1晶向及晶向指数 1.晶向 通过晶格中任意两个格点 连一条直线称为晶列,晶列的 取向称为晶向,描写晶向的一 组数称为晶向指数(或晶列指数 过一格点可以有无数晶列

1.4 倒易点阵和布里渊区 (Reciprocal lattice; Brillouin zones) 一. 定义 二. 倒易点阵和晶体点阵的关系 三. 倒易点阵的物理意义 四. 倒易点阵实例 五. 布里渊区 1.5 晶体结构的实验研究 一. 晶体中的衍射现象 二. 晶体衍射的几何理论 三. 实验方法简介 四. 影响衍射强度的因素 五. 研究实例 六. 电子衍射和中子衍射 七. 原子结构的直接观察

一. 对称性的概念 二. 晶体中允许的对称操作 三. 晶体宏观对称性的表述：点群 四. 七个晶系和14种晶体点阵 五. 晶体的微观对称性：空间群 六. 点群对称性和晶体的物理性质

第八章晶体的能带结构 前言 物理学前言之一 材料的性质 大规模集成电路

5.1 费米分布函数和自由电子气比热容 5.2 金属的费米面 5.3 费米面的实验测定 5.4 输运现象 5.5 金属的电导率 5.6 弛豫时间与碰撞概率的关系 5.7 电子-声子相互作用与金属电阻率 5.8 等离激元与准电子

一、填空(20分,每题2分) 1.对晶格常数为a的SC晶体,与正格矢R=ai+2a+2ak正交的倒格子晶面族的面指数为(),其面间距为() 2.典型离子晶体的体积为V,最近邻两离子的距离为R,晶体的格波数目为(),长光学波的()波会引起离子晶体宏观上的极化

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料