2-1引言 2-2电路的等效变换 2-3电阻的串并联 2-4电阻的Y形联结和△形联结的等效变换 2-5电压源、电流源的串联与并联 2-6实际电源的两种模型及其等效变换 2-7输入电阻

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

2.1 引言 2.2 电路的等效变换 2.3 电阻的串联和并联 2.4 电阻的Y形连接和△形连接的等效变换 2.5 电压源、电流源的串联和并联 2.6 实际电源的两种模型及其等效变换 2.7

概述 反馈电路特性 放大器的种类 检测和返回机制 反馈结构 电压－电压反馈 电流－电压反馈 电压－电流反馈 电流－电流反馈 负载的影响 二端口网络模型 电压－电压反馈中的负载 电流－电压反馈中的负载 电压－电流反馈中的负载 电流－电流反馈中的负载 负载影响小结 反馈对噪声的影响

2.2 电路的等效变换 2. 5 理想电压源和理想电流源的串并联 2.6 实际电源的两种模型及其等效变换 2. 4 电阻的星形联接与三角形联接的等效变换 (Y—变换) 2.7 输入电阻 2.1 引言 2.3 电阻的串联和并联

理想集成运放具有以下主要特征 （1）输入失调电压VIO，及其温漂，时漂， 随电源电压漂移均为零 （2）输入偏置电流IIB，失调电流IIO及其温漂，时漂， 随电源电压漂移均为零

2.1 引言 2.2 电路的等效变换 2.3 电阻的串联和并联 2.4 电阻的Y形连接和△形连接的等效变换 2.5 电压源、电流源的串联和并联 2.6 实际电源的两种模型及其等效变换 2.7 输入电阻

习题 3-5-3 射极偏置电路和 BJT 的输出特性曲线如图题 3.5.3 所示，已知 =60。 （1）分别用估算公式和图解法求 Q 点； （2）求输入电阻 rbe； （3）用小信号模型分析电压增益

1.指令格式 格式、寻址方式、 指令类型设置 寄存器、ALU、数 据通路设置 画流程图(寄存器传送级) 列操作时间表 组：列逻辑式，形 成逻辑电路 微：

3―1 结型场效应管 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―4 场效应管放大器