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3.1触发器 3.2时序逻辑电路的分析与设计方法 3.3计数器 3.4寄存器 3.5顺序脉冲发生器 3.6随机存取存储器(roM)
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一、掌握:协议、层次、接口与网络体系结构的基本概念 二、掌握:网络体系结构的层次化研究方法 三、掌握:OSI参考模型及各层的基本服务功能 四、掌握:TCP/IP参考模型的层次划分、各层的基本服务
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一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
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1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用; 2. 讨论杂质扩散的原理和过程; 3. 对离子注入有一个总体认识,包括它的优缺点; 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性; 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统; 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应; 7. 描述离子注入的各种应用
文档格式:PPT 文档大小:927KB 文档页数:16
对于中规模、大规模和某些VLSI的IC,前面介绍的基本光刻工艺完全适用,然而 ,对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代,某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括:光学设备的物理局限;光刻胶分辨率的限制;晶园表面的反射现象和高低不平现象等
文档格式:PPT 文档大小:1.6MB 文档页数:32
通过本章的学习,将能够: 1. 画出典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图; 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的; 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺
文档格式:PPT 文档大小:2.92MB 文档页数:71
通过本章学习,将能够: 1. 解释金属化; 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属,讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用; 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点,描述应用铜的挑战; 4. 叙述溅射的优点和缺点; 5. 描述溅射的物理过程,讨论不同的溅射工具及其应用; 6. 描述金属CVD的优点和应用; 7. 解释铜电镀的基础; 8. 描述双大马士革法的工艺流程
文档格式:PPT 文档大小:1.49MB 文档页数:39
在本章中,将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 9.1 显影 9.2 硬烘焙
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一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
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