这一章的习题大致可以分为四种类型:双极型三极管工作状态的计算、集成 广」电路逻辑功能的分析、输入特性和输出特性的应用、OD门和OC门外接上拉 电阳的计算。下而结合例题说明它们的解题方法。 双极型三极管工作状态的计算 在三极管开关电路巾,为了使三极管作在开关状态,必须保证输入为低电 平时三极管T作在截止状态,而输入为高电平时三极管工作在饱和导通状态

5.1 功率放大电路的一般问题 5.2 乙类互补对称功率放大电路 5.3 甲乙类互补对称功率放大电路 5.4 集成功率放大器 5.5 功率器件

应用扫描Kelvin探针原位研究盐雾和干湿周浸环境中缺陷涂层膜下的腐蚀行为.结果显示:在两种腐蚀环境中,缺陷涂层均分为缺陷、阴极剥离及完好涂层区域;Kelvin电位的分布相同,缺陷处最高,完整涂层处最低.Kelvin电位分布峰的直径随时间的延长而增大,表明剥离区域扩大.干湿周浸环境中,Kelvin电位的最大值Vmax随时间变化不明显,Vmin在逐渐下降后达到谷值,随后升高;盐雾环境中由于电解质溶液持续扩散和盐雾颗粒极强的腐蚀性,Kelvin电位随时间的变化规律为Vmin在起始阶段达到最小值,随后升高.由Vmax-Vmin的变化规律得出,干湿周浸环境下腐蚀倾向性在试验开始5h后达到最大,而在盐雾环境下,试验开始阶段腐蚀倾向性就达到最大,且要高于干湿周浸环境

用恒电位和动电位极化法研究了表面粗糙度对非晶态NiCrFeSiB合金亚稳态小孔形核和生长的影响,粗糙表面显著促进亚稳态小孔的形核,在恒电位下,亚稳小孔的生长电流随时间的平方线性增长为I-I0=k(t-t0)2.生长速度参数k和亚稳态小孔的峰值电流都服从对数正态分布。在粗糙表面上亚稳态小孔的生长速度略高,且分布范围较大

4.1结型场效应管掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点 4.2砷化镓金属半导体场效应管 4.3金属氧化物半导体场效应管MOS管,简单介绍 4.4场效应管放大电路类比:与BJT放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较

一、电荷量子化 1电荷 摩擦起电和雷电使人们对电有了最早的认识,自然界有正电荷和负电荷两种电 荷,它们同号相斥、异号相吸

11-1二端口网络 11-2二端口网络的方程与参数 11-3二端口网络的等效电路 11-5二端口网络的连接 12-1解析法 12-2图解法 12-4小信号分析法

8.1基本运算电路(重点) 8.2实际运放电路的误差分析(只讲1例) 8.3对数和反对数运算电路× 8.4模拟乘法器× 8.5有源滤波电路(概念、一阶) 8.6开关电容滤波器×

(1) 工作原理 当正半周时二极管D1、D3导通， 在负载电阻上得到正弦波的正半周。 当负半周时二极管D2、D4导通， 在负载电阻上得到正弦波的负半周。 在负载电阻上正负半周经过合成， 得到的是同一个方向的单向脉动电压

7.1串联谐振电路 7.2并联谐振电路