5.1 典型半导体材料晶体结构类型 5.2 半导体材料晶体结构与性能 5.3 电子材料中其他几种典型晶体结构 5.4 固溶体晶体结构 5.5 液晶的结构及特征 5.6 纳米晶体的结构及特征

在第七章中我们研究过晶体内部结构的对称性,是将 晶体内的所有质点按几何点来考虑的。本章的内容要将 晶体内部质点作为原子、离子来考虑了。 一、最紧密堆积原理 将晶体内的质点作为球体来考虑。 因为在离子键和金属键的晶体结构中,离子键和金属 键是没有方向性的,核外电子云的分布是球形,可以作 为球形来考虑。所以对于离子键和金属键的晶体结构, 可以用球体最紧密堆积原理来研究

2.1放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2晶体三极管的其它工作模式 2.3埃伯尔斯—莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 2.7晶体三极管的应用原理

一. 对称性的概念 二. 晶体中允许的对称操作 三. 晶体宏观对称性的表述：点群 四. 七个晶系和14种晶体点阵 五. 晶体的微观对称性：空间群 六. 点群对称性和晶体的物理性质

第一节 晶体二极管 一、半导体的导电特性 三、晶体二极管及其特性 二、PN结及其单向导电性 四、特殊二极管 第二节 晶体三极管 一、晶体三极管的结构 二、晶体三极管的放大作用 三、晶体三极管的特性曲线 四、晶体三极管的主要参数 第三节 基本放大电路 一、放大电路的基本概念 二、基本放大电路及其工作状态分析 三、放大电路性能指标的计算 四、静态工作点稳定电路 第四节 射极输出器 一、射极输出器的工作状态 二、射极输出器的应用 第五节 场效应管及其放大电路 一、绝缘栅型场效应管 二、绝缘栅场效应管的主要参数 三、场效应管基本放大电路

一、晶体结构的基本知识 1、晶体与非晶体 晶体原子规则排列的集合体 非晶体原子无规则堆积的集合体 晶体特征:固定的熔点,各向异性

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与晶体二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体三极管的结构与符号 晶体管的放大原理 晶体三极管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的参数及特点

研究了Tb0.3Dy0.7(Fe1-x,Mx)1.95(M=Mn,Al,B,Ti,x=0.03)合金在高温度梯度区熔定向凝固过程中,晶体轴向取向、结晶形貌随晶体生长速度的变化规律和不同晶体轴向取向与磁致伸缩应变之间的关系.结果发现,晶体生长速度由低变高时,晶体由平面晶向胞状晶、胞技晶、树枝晶生长转化.晶体也相应地由利,变化为++混合轴向取向.完全的轴向取向可获得优异的磁致伸缩性能

1.晶体( crystal)与非晶体( noncrystal 自然界中的物质,按其内部粒子(原子、离子、分子、原子集团)排列情况可分为两大 类:晶体与非晶体。所谓晶体就是指其内部粒子呈規则排列的物质,如水晶、食盐、金属 等。由于晶体内的粒子呈规则排列,所以晶体具有下列特点:

§1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.5.1 有源二口网络的S参数 §1.5.2 微波晶体管放大器增益 §1.5.3 微波放大器稳定性 §1.6 放大器噪声参数 §1.6.1 有源网络噪声参数一般表示式 §1.6.2 等噪声系数圆和等增益圆 § 1.7 微波晶体管放大器 §1.7.1 放大器的增益 §1.7.2 多级放大器噪声