利用背散射电子衍射技术对高速冲击前后高锰钢样品强制剪切区域的晶粒进行准原位观察,分析了剪切区域不同位置晶粒的相变情况,并借助有限元模拟及受力计算对不同晶粒相变程度差异的原因做了进一步分析.结果表明,在高速变形下,应力应变水平、奥氏体取向及晶粒间的相互作用共同影响TRIP行为:应力应变水平越高,相变程度越大;由于帽型样中剪切应力的存在,相比于近〈111〉取向奥氏体,近〈100〉和近〈110〉取向奥氏体相变程度更大,近〈110〉取向相变程度最大.具有有利取向的奥氏体,晶粒尺寸越大,其相变行为受周围晶粒影响越小,越容易充分相变;具有有利取向的长条状奥氏体晶粒,若其两侧晶粒难相变,则该晶粒相变将受到束缚;带有尖角的晶粒,变形时应力集中难以释放,易发生相变;当晶粒的孪生分力大于滑移,但其最大和次大的孪生分力相差不大,可能导致在这两个方向孪生互相竞争,反而不易相变.高速变形时体心马氏体多在晶界应力集中处产生,很少在晶粒内部大量产生,形态多为细片状,变体选择强

国内外得到应用的生物传感器主要包括: 1测定水质的BOD分析仪、在市场上有以日本和德国为 代表产品供应。 采用丝网印刷和微电子技术的手掌型血糖分析器, 已形成规模化生产,年销售量约为十亿美元; 固定化酶传感分析仪:国外以美国的YSI公司和德国 BST公司为代表,都有系列分析仪产品,它们主要用 于环境监测和食品分析,国内到目前为主只有山东 省科学院生物研究所的系列化产品在市场得到应用 4SPR生物传感器,在日、美、德、瑞典等国得到了 开发和初步应用

在现代经济管理中,有许多最优化问题属于多元函 数的极值和最值问题同一元函数类似,其最值也与其极 值有十分密切的联系;故以下以二元函数为例用多元函 数微分法先来讨论多元函数的极值,再讨论多元函数的 最值. 多元函数极值问题有两种基本类型(以二元函数为例) 类型I:讨论z=f(xy)的极值——无条件极值 类型Ⅱ:讨论z=f(xy)在约束条件(xy)=0下的极值 条件极值

1. 化学反应速率的表示方法 2. 反应机理和元反应 ① 简单反应与复合反应 ② 元反应与反应分子数 ③ 质量作用定律与速率方程式 3. 具有简单级数的反应及其特点 ① 一级反应 ② 二级反应 ③ 零级反应 4. 化学反应速率理论简介 ① 碰撞理论与活化能 ② 过渡态理论简介 5. 温度对化学反应速率的影响 ① Arrhenius方程式 ② 温度对化学反应速率影响的原因 6. 催化剂对化学反应速率的影响 ① 催化剂及催化作用 ② 催化作用理论 ③ 生物催化剂-酶

一、教学目标与基本要求 1、理解多元函数的概念,理解二元函数的几何意义。 2、了解二元函数的极限与连续性的概念,以及有界闭区域上连续函数的性质

提出了钨合金的组织结构模型.在此基础上通过有限元法对钨合金拉伸变形时组织结构中的应力分布及其变化规律进行了计算机数值模拟研究.结果表明：钨合金拉伸变形时拉伸方向最大正应力和最大Mises应力区域在钨颗粒相中，同时钨颗粒还将受到垂直于拉伸方向的压应力；最大剪切应力分布在粘结相中，随拉伸变形增加，粘结相最先进入塑性状态；由于粘结相的塑性变形，钨合金中应力不断重组，应力逐渐在钨颗粒中集中

利用射流成型法制备出Zr52.5Cu17.9Ni14.6Al10Ti5大块非晶.该合金系统具有很强的玻璃形成能力和宽的过冷区,其玻璃转化温度Tg=650.63K,晶化温度Tx=721.90K,过冷区△Tx=Tx-Tg=71.27K.Vicker硬度为558kg/mm2压缩断裂强度1730GPa,弹性模量82GPa.观察其断口有大量纹络状河流花样,并有融化的液滴存在.该合金系统大的玻璃形成能力应归功于合金组元的多样性、组元间大的原子半径比率、组元间大的混合负热及在冷却过程中过冷区粘度的急剧上升等因素

掌握：羧酸及其衍生物的结构,命名规则,化学性质. 熟悉：饱和一元羧酸的制备反应;羧酸衍生物的水解、醇解、氨解反应的加成－消除反应机理 了解：羧酸及其衍生物的有关物理性质

(一) 杂环化合物的分类、命名和结构 (1) 分类和命名 (2) 结构和芳香性 (甲) 五元杂环的结构 (乙) 六元杂环的结构 (二) 五元杂环化合物及其化学性质 (1) 亲电取代 (2) 加成 (3) 吡咯的弱碱性和弱酸性 (4) 糠醛（α－呋喃甲醛） (5) 颜色反应 (三) 六元杂环化合物 (1) 碱性与亲核性 (2) 亲电取代 (3) 亲核取代 (4) 氧化与还原 (5) 其他 (四) 稠杂环化合物（吲哚、喹啉）

一、 电路模型与电路中基本变量 在集总假设的条件下，定义一些理想电路元件(如R、L、C 等)，这些理想电路元件在电路中只起一种电磁性能作用，它 有精确的数学解析式描述，也规定有模型表示符号。对实际的 元器件， 根据它应用的条件及所表现出的主要物理性能，对 其作某种近似与理想化(要有实际工程观点)，用所定义的一种 或几种理想元件模型的组合连接，构成实际元器件的电路模型