引言 2.2.1MOS场效应管 2.2.2结型场效应管 2.2.3场效应管的主要参数

《模拟电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第七章 集成运算放大器 7.3 集成运算放大器的应用 7.4 集成运放在电压比较器中的作用

《模拟电子技术基础》课程PPT教学课件（康华光第四版）10

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

6.1模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2差分式放大电路 6.3差分式放大电路的传输特性 6.4集成电路运算放大器 6.5实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响

2. 含有双电源的射极偏置电路 （2）直接耦合

7.5.1 信号产生器 7.5.2 有源滤波器

《模拟电子学》课程PPT教学课件（基础实验）晶体管放大器的仿真实验步骤

3.1.1 放大电路的组成 3.1.2 放大电路的主要性能指标

7.1 集成运放应用基础 7.2 运算电路 7.3 有源滤波电路 7.4 电压比较器