一、特点:平面电路、立体电路均适用。 二、变量:基本回路电流 三、方向:与连支电流的方向一致。 四、方法:沿基本回路建立KVL方程

物质的宏观聚集状态：物质是由分子构成的，它们一方面处于永恒的热运动 之中，使分子趋向于空间无序分布，另一方面，分子间存在着复杂的相互作用， 使分子间尽量保持一定的距离，趋向于有序排列。这两方面的相对强弱不同，物 质就呈现不同的聚集状态，并表现出不同的宏观性质

偏振:波振动对传播方向非对称分布 光矢量:电磁波中的电场E分量称为光矢量 电磁波是横波,光矢量与光的传播方向始终垂直

7.1 WINDOWS的内存分配 内存是操作系统的核心部分,所以我们非常有必要了 解内存的分配机制。在DOS下,访问内存的指针是 用段地址:偏移量来表示,所有程序共用一个内存空 间,由低向高分配内存空间,所以任何程序都可以随 便修改内存中的数据,包括不属于自己程序的内存 空间和中断向量表。而且所有程序被局限在1M的基 本内存(Base Memory)中,不能直接访问扩充内存

采用等离子熔覆技术将Fe-Ni基高温耐磨合金粉末熔覆到45#圆钢上,制备了Fe-Ni基合金导辊.采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪研究了Fe-Ni基合金涂层的组织结构和Fe-Ni基合金导辊的表面失效情况.结果表明:Fe-Ni基高温耐磨涂层组织形态良好,由涂层与基体的结合界面处到涂层的上部其组织由平面晶向树枝晶转变;γ-(Fe,Ni)的含量在涂层中按底部—中部—上部的方向依次降低,而(Cr,Fe)7C3的分布正好相反;Fe-Ni基合金导辊的失效机制为热疲劳开裂和磨粒磨损

报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果,并对量子点的结构特性进行了讨论.结果表明:多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势;随着InAs量子点层数的增加,量子点的密度下降,其尺寸随层数的增加趋向均匀.在试验条件下,5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理,其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成

一、结构:yz方向无限延伸 ⅹ方向尺寸d接近于传输光波长量级 损耗ldB/cm左右 折射率:覆盖层、芯区、衬底分别为:

8.1 立体化学的任务 立体异构体的分类和定义 8.2 旋光性和分子结构的对称性因素 8.3 手性分子的分类及情况分析 8.4 消旋、拆分和不对称合成 一 外消旋化 二 差向异构化 三 外消旋体的拆分 四 不对称合成 8.5 不对称合成 8.6 对映体过量百分率、立体选向百分率与光学纯度百分率

完成了冲压过程中可能出现的几种应变路径(单向拉伸、等双向拉伸、单拉-等双拉、等双拉-单拉路径)和不同应变量共14种状态的极图测定,分析了各种情况下织构的变化,讨论了材料取向的变化对于复杂路径成形极限的影响

一、复习要求 1.了解软件过程的概念、软件过程框架和软件过程模型。 2.了解软件项目管理的过程。 3.了解软件度量的种类,面向规模和面向功能的度量以及质量度量的种类。 4.掌握LOC估算和FP估算的方法,分解技术和工作量估算方法。 5.了解软件成本估算的概念,掌握 COCOMO成本估算方法