第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

晶体点阵对X射线的衍射 布拉格定律 衍射矢量方程和厄尔瓦德图解

一、成核 成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶 芽,这一相变过程中体系自由能的变化为: g=aG+△G 式中△G为新相形成时体自由能的变化,且△G0 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相转 变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另一 方面又由于增加了液-固界面而使体系自由能升高

密度是决定含能材料爆轰性能的重要参数。为评估现有CHON类含能材料密度的计算方法,对等电子密度面法、分子表面静电势法、基团加和法、晶体堆积法、定量构效关系法、经验公式法等进行分析和归类

一、金属的特性和金属键 1、特性 良好的导电性、导热性、塑性,具有金属光泽,不透明,正的电阻温度系数。 2、原因 这主要是与金属原子的内部结构以及原子间的结合方式有关

晶体的自由能函数:F(T,卩),根据P=-()x可以得到晶格的状态方程。 rF=-kThZ,Z=∑e--配分函数,对所有晶格的能级相加。 能级包含原子处于格点平衡位置时的平衡晶格能量U(V)和各格波的振动能∑(n+加

固体的定容热容:C=()-E固体的平均内能。 一一固体内能包括晶格振动的能量和电子热运动的能量

三维复式格子:晶体由N=N1N2N3个原胞构成,一个原胞中有n个原子。 n个原子的质量分别是:m1,m2,m3…m 第l个原胞的位置:R()=la1+l2a2+l3 原胞中各原子的位置

重点：是从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数。因此，讲述管子的内部结构和载流子的运动的目的是为了更好地理解管子的外特性，应引导学生不要将注意力过多放在管子内部，而以能理解外特性为度。难点：半导体中载流子的运动以及由载流子的运动而阐述的半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理是学习的难点

第三节 晶体对X射线的衍射、第四节 晶体结构分析简介 第五节 粉晶X射线衍射法(XRD) 第六节 物相分析方法