实验一、电子技术实验基础知 一、课程概述(内容要求) 二、基础知识(电子元器件) 三、直流仪器(数字万用表) 四、电阻、电容等元器件测量

一、填空题(每空1分,共12分) 1、晶闸管的工作状态有正向 状态,正向 状态和反向 状态。 2、某半导体器件的型号为KP507的其中KP表示该器件的名称 为,50表示,7表示

一、光外调制器及光波导技术与器件 二、光放大器1：掺铒光纤放大器 三、光放大器2：光纤拉曼放大器

一、光隔离器和光环形器 二、光纤的连接 三、光纤衰减和光开关 四、光纤耦合器 五、光纤光栅 六、波分复用器件

场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。优点:输入电阻大(107Ω~1012Ω)、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强等

6.5采用中规模集成器件设计任意进制计数器 6.6采用小规模集成器件设计计数器

由4.1节知,实现频谱搬移功能的最基本电路是乘法器。 但实际使用的乘法器多利用非线性器件构成的。 我们的任务是找出非线性器件的相乘功能项,以实现 频谱搬移的要求

一、功率晶体管GTR 二、功率功效应晶体管（P-MOSFET） 三、绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 四、自关断器件驱动电路

6.5采用中规模集成器件设计任意进制计数器 6.6采用小规模集成器件设计计数器

一、 电路模型与电路中基本变量 在集总假设的条件下，定义一些理想电路元件(如R、L、C 等)，这些理想电路元件在电路中只起一种电磁性能作用，它 有精确的数学解析式描述，也规定有模型表示符号。对实际的 元器件， 根据它应用的条件及所表现出的主要物理性能，对 其作某种近似与理想化(要有实际工程观点)，用所定义的一种 或几种理想元件模型的组合连接，构成实际元器件的电路模型