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南京邮电大学:《数字电路与系统》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十二章 数字系统设计基础(12-2)寄存器传输语言(RTL)
文档格式:PPT 文档大小:603.5KB 文档页数:32
对寄存器所存信息的加工和存储称为寄存 器传输操作 。 用RTL可简练而准确地描述信息流通和信 息处理的情况,是描述各模块内部和模块之 间连接关系的一种很好的方法。 在RTL中寄存器是基本的逻辑单元,并且 是广义的,即:在寄存器传送语言中。术语 寄存器不仅包含普通的寄存器,而且还包含 移位寄存器、计数器、存储器以及其它类型 的寄存器
清华大学电子系:《逻辑设计与数字系统》课程教学讲义(数字电子技术基础)第六章 存储器和可编程器件
文档格式:DOC 文档大小:1.85MB 文档页数:20
6.1引言 定义:存储器是带有存取电路的储存二进信息单元的集合。在计算机中的很多部分广泛应用。 两种主要类型:RAM,ROM RAM(Random memory):随机存储器暂存数据。例:用于处理器内外部的快速 CACHE
《生物信息学》课程教学资源(中译本)第四章 应用GCG进行序列分析
文档格式:PDF 文档大小:153.77KB 文档页数:15
一、引言 快速、经济的核酸序列测序方法的出现使包括分子生物学、遗传学以及生物化学在内的许多 科学领域发生了革命。(Gi bert,1981: Sanger,1981)这项技术的发展同时也使人们需 要构建公用数据库来存储在全世界范围的实验室内得到的序列信息(Benson et al.1997 Stoesser et al.1997)。由于提交到数据库中的序列需要进行分析和解释,同时已经存在 的数据库中的条目需要进行辨识和修补以供研究人员进一步研究之用,因此随着公用数据库 的建立,生物信息学和计算生物学逐渐走向成熟
《C语言及其单片机系统开发单片机系统开发》培训课件(PPT讲稿,教师版,武汉原创)第6讲 单片机内部结构和工作原理
文档格式:PDF 文档大小:517.87KB 文档页数:55
一、 80C51系列单片机内部结构 系列单片机内部结构 二、 外部引脚功能 三、 存储空间配置和功能 存储空间配置和功能 四、片内RAM结构和功能
北京交通大学:《物流学》第五章 储存
文档格式:PPT 文档大小:192.5KB 文档页数:13
第一节商品储存的含义、作用与过程 一、商品储存的含义 所谓商品储存,就是指在商品生产出 来之后而又没有到达消费者手中之前 所进行的商品存储的过程。 商品储存是包含商品库存和商品储备 在内的一种广泛的经济现象,是一切 社会形态都存在的一种经济现象
人民邮电出版社:《C及C++程序设计》课程教学资源(PPT课件讲稿)第九章 数据的存储方式
文档格式:PPT 文档大小:91.5KB 文档页数:20
9.1 局部变量和全局变量 9.2 变量的存储方式 9.3 内部函数和外部函数 9.4 动态存储单元 9.5 变量修饰符 const
人民邮电出版社:《C及C++程序设计》课程教学资源(PPT课件讲稿)第九章 数据的存储方式
文档格式:PPT 文档大小:91.5KB 文档页数:20
9.1 局部变量和全局变量 9.2 变量的存储方式 9.3 内部函数和外部函数 9.4 动态存储单元 9.5 变量修饰符 const
上海交通大学:《公共组织财务管理》课程教学资源(PPT课件)第八章 负债管理
文档格式:PPT 文档大小:1.31MB 文档页数:43
本章学习要点: § 公共组织负债的内容 § 公共组织负债的特点 § 各项负债在管理方面的要求 § 偿债能力的评价指标 本章关键词: § 负债:liability § 应付款项:account payable § 预收款项:unearned revenue § 暂存款:deposit payable § 资产负债率:Assets Liabilities Ratio § 流动比率:Current Ratio 本章内容: § 第一节 负债概述 § 第二节 应缴款项的管理 § 第三节 应付、预收和暂存款的管理 § 第四节 借入款项的管理
《计算机硬件基础》课程教学资源(PPT讲义课件)第十八章 移动式存
文档格式:PPT 文档大小:311KB 文档页数:18
大家都知道软盘有一些致命的技术缺陷, 例如容量过小、数据很容易丢失、读取速度 , 慢等简直是举不胜举。与软盘一样,硬盘也 是磁介质产品,但硬盘本身内部真空,而且 磁头读取时悬浮,不与磁碟接触,因此磁碟 的密度、转速、介质材料等都可以进行改进。 Portable Storage Device(可移动存储设 备),简称PSD设备
原位合成MoSi2/SiC复合材料的组织缺陷
文档格式:PDF 文档大小:591.24KB 文档页数:4
TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi2基复合材料的组织中,基体MoSi2中存在较多的位错,而且尤以MoSi2与SiC的界面处位错最为集中,SiC颗粒的内部缺陷的主要形式为孪晶和层错.纳米力学探针分析表明,MoSi2/SiC界面附近存在明显的硬度梯度,在材料制备冷却过程中,因MoSi2基体与SiC颗粒之间的热膨胀系数(CTE)的差别而导致的其中的残余热应力是造成上述组织特征的原因
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