5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1、平行板电容器有一带负电荷油滴,如图。若油滴获得了附加电荷,为了继续保持油滴稳定,应采取哪些措施? (A)、使两金属板相互靠近些

1一半径为a的导体球,被围在内半径为 b、外半径为c,相对介电系数为的介质同 心球壳内,若导体球带电荷量为Q,求 D(r),E(r和导体表面 电势

一. 单缝夫琅和费衍射 1. 装置： 光源置于 L1的焦点上，屏置于 L2的焦平面上。缝宽a: 其上每一点均为子波源，发出衍射光线衍射角 ： 衍射光线与波面法线夹角

一、选择题 1、两偏振片堆叠在一起，一束自然光垂直入射时没有光线通过。当其中一偏振片慢慢转 动 180°时透射光强度发生的变化为 [ C ] (A) 光强单调增加； (B) 光强先增加，然后减小，再增加，再减小至零

2-1 一细绳跨过一定滑轮，绳的一边悬有一质量为 m1 的物体，另一边穿在质量为 m2 的圆 柱体的竖直细孔中，圆柱可沿绳子滑动．今看到绳子从圆柱细孔中加速上升，柱体相对于绳 子以匀加速度 a  下滑，求 m1， m2 相对于地面的加速度、绳的张力及柱体与绳子间的摩擦 力(绳轻且不可伸长，滑轮的质量及轮与轴间的摩擦不计)．

一、选择题： 1． 如图所示，任一闭合曲面 S 内有一点电荷 q，O 为 S 面上任一点，若将 q 由闭合曲面内 的 P 点移到 T 点，且 OP=OT，那么 [ ] (A) 穿过 S 面的电通量改变，O 点的场强大小不变； (B) 穿过 S 面的电通量改变，O 点的场强大小改变； (C) 穿过 S 面的电通量不变，O 点的场强大小改变；

1.力学量的平均值随时间的演化 力学量A在态上的平均值是(设与时间有关,然而已经归一)

自Ox轴的原点 O作一矢量,使 它的模等于振动的 振幅A,并使矢量才 在Oxy平面内绕点 O作逆时针方向的 匀角速转动,其角 速度ω与振动频率 相等,这个矢量就 叫做旋转矢量

设f∝r-2,若δ≠0 则均匀带电导体球壳内表面将带电 Q(Q总,,a,b)≠0 找出此函数关系(理论),比较Q内 与Q总(实验),便可确定δ的下限