主要讨论：频谱结构,频谱的特点 频带宽度，能量分布

6.1 存储器 6.1.1 ROM (Read-Only Memory) 6.1.2 随机存取存储器 (RAM) 6.2 可编程逻辑器件（PLD) 6.2.1 可编程阵列逻辑(PAL) 6.2.2 通用阵列逻辑(GAL) 6.2.3 PLD的开发过程 6.3 VHDL语言 6.3.1 VHDL基本结构与语法 6.3.1.1 VHDL的组成 6.3.1.2 实体（Entity) 6.3.1.3 结构体 (Architecture) 6.3.1.4 程序包 (Package) 与 USE 语句 6.3.1.5 库 (Library) 6.3.1.6 VHDL运算符 6.3.1.7 数据对象 6.3.1.8 VHDL常用语句 6.3.1.9 元件及元件例化 6.3.1.10 配置 (configuration) 6.3.1.11 子程序 6.3.1.12 其他：属性、时钟的表示 6.3.1.13 VHDL的模板 6.3.1.14 常见错误 6.3.1.15 保留字

1.1 数制与BCD码 1.1.1 常用数制 1.1.2 几种简单的编码 1.2 逻辑代数基础 1.2.1 基本逻辑运算 1.2.2 复合逻辑运算 1.2.3 逻辑电平及正、负逻辑 1.2.6 逻辑函数的化简 1.2.5 逻辑函数的标准形式 1.2.4 基本定律和规则

5.1 MSI构成的时序逻辑电路 5.1.1 寄存器和移位寄存器 5.1.2 计数器 5.1.3 移位寄存器型计数器 5.2 时序逻辑电路的分析方法 5.2.1 同步时序逻辑电路的分析方法 5.2.2 异步时序逻辑电路的分析方法 5.3 同步时序逻辑电路设计方法 5.3.1 用SSI设计同步时序逻辑电路 5.3.2 用MSI设计同步时序逻辑电路

4.2 存储器件 4.1 时序逻辑电路的基本概念 4.1.1 时序逻辑电路的结构模型 4.1.2 状态表和状态图 4.3 锁存器 4.3.1 RS锁存器 4.3.2 门控RS锁存器 4.3.3 D锁存器 4.4 触发器 4.4.1 主从触发器 4.4.2 边沿触发器 4.5 触发器逻辑功能的转换 4.5.1 代数法 4.5.2 图表法 4.6 触发器应用举例

2.1 晶体管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 2.1.2 半导体三极管的开关特性 2.1.3 MOS管的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 2.2.2 三极管门电路 2.3 TTL门电路 2.3.1 TTL与非门典型电路及其工作原理 2.3.2 TTL与非门的电压传输特性 2.3.5 改进型TTL门电路 2.3.6 其它类型的TTL门电路 2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性 2.3.4 TTL与非门的动态特性 2.4 ECL门电路 (Emitter Coupled Logic) 2.4.1 ECL门电路的工作原理 下一页 2.5 MOS门电路 2.5.1 NMOS门电路 2.5.2 CMOS门电路(Complementary Symmetry MOS) 2.6 TTL与CMOS电路的接口 2.4.2 ECL门电路的主要特点

9.1 多谐振荡器 9.2 单稳态触发器 9.4 555定时器的原理和应用 9.3 施密特触发器

4.1 概述 4.2 低频信号发生器 4.3 高频信号发生器 4.4 函数信号发生器 4.5 合成信号发生器 4.6 脉冲信号发生器 4.7 图形发生器

一、电极反应过程的基本知识 二、经典极谱法的原理 三、单扫描示波极谱法原理 四、脉冲极谱法原理 五、极谱催化波和配合物吸附波 六、循环伏安法 七、 溶出伏安法

8.1 双稳态触发器 8.2 寄存器 8.3 计数器 8.4 脉冲信号的产生与整形