一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

采用还原焙烧、磁选工艺流程和粉矿直接入炉焙烧技术,对难选低品位硼铁矿中硼的富集进行了研究.按化学当量比C/O=1(原子比)进行配碳,使用马弗炉进行焙烧实验,在500~1 450℃研究了不同焙烧温度下硼品位和硼回收率的变化.研究结果表明:随着焙烧温度的提高,铁晶颗粒增大,在1 200℃时硼精粉品位达到14.29%,满足硼化工工业对硼品位的要求(ω(B2O3) ≥ 12%);硼回收率在1 200℃以上时能达到90%以上.当焙烧温度在1 350℃以上时,硼的回收率和品位没有太大的变化.焙烧温度选择在1 200~1 350℃为宜,既能实现高的硼回收率,硼品位又能满足硼化工工业的要求

第11章羧酸和取代羧酸 11.1羧酸的结构 羧酸的官能团是羧基(-OOH) 羰基中C、O和羟基中O均为sp2杂化,C形成四电子三中心的pπ共轭体系(H)ROH在羧基中,既不存在典型的醛酮的羰基,也不存在典型的醇羟基,而是二者相互作用形成的统一体

研究了利用(KOH+K3(Fe (CN)6)+H2O和H2SO4+H2O2)两种溶液浸蚀硬质合金基体,分别选择性刻蚀WC和Co的表面预处理过程.在浸蚀过的硬质合金基体上,用强电流直流伸展电弧等离子体CVD法沉积金刚石薄膜涂层.结果表明,两步混合处理法不仅可以有效地去除硬质合金基体表面的钻,而且还显著粗化硬质合金基体表面,提高了金刚石薄膜的质量和涂层的附着力

实验研究了1600℃时，不同C-ZnO配比条件下，Al2O3-ZnO-C及Al2O3-ZnO-Al复合脱铜剂的钢液脱铜效果.对氧化物复合脱铜剂的脱铜原理，脱铜步骤及提高脱铜效率的因素进行了分析讨论

自Ox轴的原点 O作一矢量,使 它的模等于振动的 振幅A,并使矢量才 在Oxy平面内绕点 O作逆时针方向的 匀角速转动,其角 速度ω与振动频率 相等,这个矢量就 叫做旋转矢量

1质量为m的物体,由水平面上点O 以初速为v抛出,与水平面成仰角,若 不计空气阻力,求:(1)物体从发射点O到 最高点的过程中,重力的冲量;(2)物体从 发射点到落回至同一水平面的过程中,重力的冲量

32-8 Lorentz Transformation (LT) P747-749 (洛沦兹变换) Assume two inertial reference frames: S, S' O,o 'coincide’(重合 superimposed) at time:t=0 S为静系,S以υ沿ox轴向右运动(开始时,两 个坐标系原点重合)

附录Hp2 O wrox. com 为了获得作者或其他高手的支持和帮助,请加入到 Pro asp3邮件列表中来。我们独特的 系统对邮件列表、论坛、新闻组等提供了“程序员对程序员的支持”,此外我们还提供了一对 的邮件系统。Wrox出版社的作者们和其他加入到 Pro asp3邮件列表的高手能够解决你所 遇到的问题 可以通过两种方式来获得信息:一是登记注册为ASP30邮件列表的用户;二是进入 p2 p wrox. com站点,浏览在线论坛或阅读新闻

第一次任务 ----用单片机点亮一只发光二极管LED 第二次任务 --用单片机实现按键控制LED灯亮 第三次任务 --访问外部数据存储器及循环程序编制 第四次任务 --算术运算指令和状态寄存器PSW 第五次任务 --多分支（散转）程序 第六次任务 --串行口与查表程序 第七次任务 --编程实验 第八次任务 --外部中断方式控制LED 第九次任务 --串行通信 第十一次任务 --用TTL芯片扩展并行I/O口 第十一次任务 --用TTL芯片扩展并行I/O口 第十二次任务 --并行接口8255控制交通灯 第十三次任务 --A/D、D/A转换