4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

重点：是多级放大电路的祸合方式及其特点,多级放大电路的动态参数与组成它的各级电路的关系,差分放大电路工作原理和静态工作点、差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比、输入电阻、输出电阻的分析和估算,互补输出级的工作原理。难点：是组成多级放大电路的各级电路的输入电阻和输出电阻对多级放大电路动态参数的影响,单端输出差分放大电路静态和动态的分析,为什么在直流信号作用时的输出电压需用交流等效电路来分析等问题

8.1 反馈的基本概念与分类 8.1.1 什么是反馈 8.1.2 直流反馈与交流反馈 8.1.3 正反馈与负反馈 8.1.4 串联反馈与并联反馈 8.1.5 电压反馈与电流反馈 8.1.6 负反馈放大电路的四种组态 8.2 负反馈放大电路增益的一般表达式 8.3 负反馈对放大电路性能的影响 8.4 深度负反馈条件下的近似计算 8.5 负反馈放大电路设计 8.6 负反馈放大电路的稳定性

整流、滤波后得到的直流电压往往会因为负载改变或电网电压波动而发生变化。因此，整流后必须加一级稳压电路，来获得稳定的直流电压

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

第一节组合逻辑电路的分析和设计 第二节加法器和数值比较器 第三节编码器 第四节译码器 第五节数据分配器和数据选择器

一、缘栅型场效应管(MOS管)的结构与工作原理 二、主要参数及使用时的注意事项 三、场效管基本放大电路

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第八章电流模电路基础 8.1电流模(current Mode)电路的一般概念 8.2跨导线性(TL)的基概念 8.3由TL环路构成的电路模电路