10.1 概述 10.2 多极点系统 10.3 相位裕度 10.4 频率补偿 10.5 两级运放的补偿 10.5.1 两级运放中的压摆率限制 10.6 其他补偿技术

9.1 概述 9.1.1 性能指标 9.2 一级运放 9.3 两级运放 9.4 增益的提高 9.5 性能比较 9.6 共模反馈 9.7 输入范围限制 9.8 转换速率 9.9 电源抑制 9.10 运放的噪声

差分放大器简介 简单差分放大器 基本差分对放大器 大信号共模特性 大信号差分特性 小信号差分特性 小信号共模特性 MOS管做负载的基本差分对放大器 差分放大器的应用－Gilbert单元

基本电流镜 电流源——构成电流镜的基础 共源共栅电流镜 有源电流镜 电流镜做负载的差分放大器 大信号特性 小信号特性 共模特性

6.1 输入缓冲器 6.2 输出缓冲器 6.3 ESD保护电路 6.4 三态输出的双向I/O缓冲器

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

共漏级－源跟随器 共栅级 共源共栅级 折叠共源共栅级 手算时器件模型和公式的选择

放大器基础知识 共源级 —电阻做负载 共源级 —二极管接法的MOS 管做负载 共源级 —电流源做负载 共源级－深线性区MOS管做负载 共源级－带源极负反馈

2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺