4场效应管放大电路 分类: N沟道 JFET (耗尽型) 结型 P沟道 FET N沟道 场效应管 增强型 MOSFET P沟道 (GFET) 绝缘栅型耗尽型∫N沟道 P沟道 HOME NEXT
N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类：
4.1结型场效应管 41.1JFET的结构和工作原理 ●结构 工作原理 4.1.2JFET的特性曲线及参数 ●输出特性 ●转移特性 ●主要参数 HOME
4.1 结型场效应管 • 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数
411JFET的结构和工作原理 1.结构 D G HOME BACK NEXT
4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构
441结型 场效应管4.1.1JFET的结构和工作原理 1.结构 栅极,用G 漏极,用 源极,用S或s表或g表示 D或d表示 S N型导电沟道 符号 D P沟道 P型区 山oME)#符号中的箭头方向表示什么? BACK NEXT
源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用 D或d表示 P型区 栅极，用G 或g表示 栅极，用G 或g表示 符号 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1 结型 场效应管 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？
441结型 场效应管2.工作原理(以N沟道IET为例 ③Vcs和Vs同时作用时 当v<Vs<0时,导电沟 道更容易夹断,对于同样 D, mA SV 的vs,的值比s=0时 的值要小 P、 在预夹断处 DD GD DS 吃 HOME BACK NEXT
2. 工作原理 4.1 结型 场效应管 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应 的栅源电压VGS称为夹断 电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP <0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 → → VGS继续减小，沟道 继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时，VDS → ID G、D间PN结的反向电 压增加，使靠近漏极处的 耗尽层加宽，沟道变窄， 从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预 夹断。 此时VDS → 夹断区延长 → 沟道电阻→ID基本不变 ③ VGS和VDS同时作用时 当VP <VGS<0 时，导电沟 道更容易夹断，对于同样 的VDS ，ID的值比VGS=0时 的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP
441结型 场效应管 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因 此i6≈0,输入电阻很高。 JFET是电压控制电流器件,受s控制 预夹断前与听呈近似线性关系;预夹断后, 趋于饱和。 #为什么JFET的输入电阻比BJT高得多? HOME BACK NEXT
综上分析可知 • 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 • JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 • 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 4.1 结型 场效应管 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ • JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高
441结型 场效应管)4.1JFET的特性曲线及参数 1输出特性=f("m) 2转移特性i=f(3) i=Is(1-)2(vp≤vcs≤0) LA ↑可变电阻区 D/mA 击穿区 GS =0 ;恒流区 65432 3 -4W 4812162024 山oM)#JFET有正常放大作用时,沟道处于什么状态?< BACK NEXT
4.1 结型 场效应管 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 D DS GS const. ( ) = v = i f v 2. 转移特性 D G S DS const. ( ) = v = i f v (1 ) ( G S 0) P 2 P G S D = DSS − V v V v i I VP 1. 输出特性
场效应管)3.主要参数 ①夹断电压Vp(或vesm):漏极电流约为零时的ves值。 ②饱和漏极电流ls:Vs=0时对应的漏极电流。 ③低频跨导gm:低频跨导反映了vc对i的控制作用。g 可以在转移特性曲线上求得,单位是mS(毫西门子)。 D g loSs( 或 P (当V≤ν。≤0时) P ④输出电阻r: = DS HOME BACK NEXT
① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： DS G S D m V v i g = （ 当 0时 ） 2 (1 ) P G S P P G S DSS m − = − V v V V v I 或 g 4.1 结型 场效应管 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm 可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： GS D DS d V i v r =
场效应管)3.主要参数 ⑤直流输入电阻Rs: 对于结型场效应三极管,反偏时Rcs约大于102。 ⑥最大漏源电压vDs ⑦最大栅源电压 RIGS ⑧最大漏极功耗PD fend HOME BACK
4.1 结型 场效应管 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS {end}
