华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源_习题 3-5-3

习题3-5-3 射极偏置电路和BJT的输出特性曲线如图题3.53所示,已知B=60 (1)分别用估算公式和图解法求Q点 (2)求输入电阻rbe (3)用小信号模型分析电压增益A (4)求最大不失真幅度; (5)若电路其他参数不变,如果要使Ⅴcε=4V,问上偏流电阻为多大? Rbl 6ko 6kQ2 vi 20kQ 20k9 2kQ R e

习题 3-5-3 射极偏置电路和 BJT 的输出特性曲线如图题 3.5.3 所示，已知 =60。 （1）分别用估算公式和图解法求 Q 点； （2）求输入电阻 rbe； （3）用小信号模型分析电压增益  AV ； （4）求最大不失真幅度； （5）若电路其他参数不变，如果要使 VCE = 4V，问上偏流电阻为多大？ + – vi iB i1 Rb1 b c iC Rc VCC + – vo RL Re Rb2 Cb1 + 60k 20k 2k 6k 3k + + 16V + – vi iB i1 Rb1 b c iC Rc VCC + – vo RL Re Rb2 Cb1 + 60k 20k 2k 6k 3k + + 16V + – e Vi Rb1 rbe b Ib Ic Rc + – RL Vo c Ib Rb2 Rb Re

(1)估算法求Q Rb 20k R 60+204×16=4 4-0.7 =1.65m4 c165 c=lc-lc(R+R2)=16-1.65×(2+3)=7.75 图解法求Q VCE =VaC-Ic(R+re) los= =3.2m4 (R+R2) lE(m4)=20461×26 (2)m=Db+(1+B)20my 1.651.29 3x6 (3)A B(R2∥R1) =60x 3+6=-100 .2 (4)画交流负载线,解三角形,求M点坐标 斜率k=a= R.∥R 三角形1gB=g(x-a)=-a=R,∥R1 又有:m 所以x =lcox(R∥RL)=1.65×2=331 (5)上偏流电阻指Rb 16-4 由Va=Vac-lc(R+R),所以Ic=R+R2+324m VBAIcRe+VBE =2.4x2+0.7=5.5 R Rb VBR+rb2 CO la=R2,a-vn)=209x16=55 5538.29

（1）估算法求 Q： V V k k k V R R R V CC b b b B 16 4 60 20 20 1 2 2  = +  = + = mA R V V I I e B BE C E 1.65 2 4 0.7 = − = −  = A I I C B   27.5 60 1.65 = = = VCE =VCC − IC (Rc + Re ) = 16−1.65(2+ 3) = 7.75V 图解法求 Q： ( ) CE CC C Rc Re V =V − I + mA R R V I c e CC CS 3.2 ( ) = + = （2） = + + = +  = k I mA mV r r E be bb 1.2 1.65 26 200 61 ( ) 26 (1 ) '  （3） 100 1.2 3 6 3 6 60 ( // ) = − +  = −  − = = be c L i o V r R R V V A  （4）画交流负载线，解三角形，求 M’点坐标 斜率 Rc RL k tg // 1 =  = − 三角形 Rc RL tg tg tg // 1  = ( −) = −  = 又有： x I tg CQ  = ，所以 I R R V tg I x CQ c L CQ = = ( // ) = 1.65 2 = 3.3  （5）上偏流电阻指 Rb1 由 ( ) CE CC C Rc Re V =V − I + ，所以 mA R R V V I c e CC CE C 2.4 2 3 16 4 = + − = + − = e B BE C E R V V I I −  = VB  IC Re +VBE = 2.42+ 0.7 = 5.5V CC b b b B V R R R V  + = 1 2 2 =  − =  − =  − = V V k k V R R V V V R CC B B b b B CC B b 38.2 5.5 16 5.5 ( ) 20 2 2 1

10 100 60 60 R tRe ic/mA ic/mA 100 Re +Re R +R 4 iB=20μA 2 iB=20HA ic/mA 斜率 m 斜率 R∥RL100 Rc∥/kL100 Re +h 40 R +R iB=20HA Q iB=20HA lc=1.65 lC=1.65 M15 20 UcE/V

0 5 10 15 20 2 4 6 8 100 iC/mA CE/V 80 60 40 iB=20A 0 5 10 15 20 2 4 6 8 100 iC/mA CE/V 80 60 40 iB=20A Rc +Re VCC VCC 0 5 10 15 20 2 4 6 8 100 iC/mA CE/V 80 60 40 iB=20A Rc +Re VCC VCC 0 5 10 15 20 2 4 6 8 100 iC/mA CE/V 80 60 40 Q iB=20A Rc +Re VCC VCC IC=1.65 0 5 10 15 20 2 4 6 8 100 iC/mA CE/V 80 60 40 Q iB=20A Rc +Re VCC VCC 斜率 1 Rc // RL IC=1.65 M’ 0 5 x 15 20 2 4 6 8 100 iC/mA CE/V 80 60 40 Q iB=20A Rc +Re VCC VCC 斜率 1 Rc // RL IC=1.65 M’  