与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

8.1单相整流滤波电路 引言 8.1.1单相整流电路 8.1.2滤波电路

《模拟电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第七章 集成运算放大器 7.3 集成运算放大器的应用 7.4 集成运放在电压比较器中的作用

7.5.1 信号产生器 7.5.2 有源滤波器

3.1.1 放大电路的组成 3.1.2 放大电路的主要性能指标

2.3半导体三极管的基本分析方法 引言 2.3.1直流分析 2.3.2交流分析

第3章放大电路基础 实验:单管共发射极电路的测试(EWB仿真)

重点与难点： ▪ 1、掌握功率放大电路的计算。 ▪ 2、理解OTL、OCL电路工作原理。 ▪ 3、了解集成功放的应用

《模拟电子技术》课程教学资源（试题库）功率放大电路（无答案）

《模拟电子技术》课程教学资源（试题库）信号运算电路（无答案）