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9.1 I/O接口扩展概述 9.1.1 扩展的I/O接口功能 9.1.2 I/O端口的编址 9.1.3 I/O数据的传送方式 9.1.4 I/O接口电路 9.2 AT89S52扩展I/O接口芯片82C55的设计 9.2.1 82C55芯片简介 9.2.2 工作方式选择控制字及端口PC置位/复位控制字 9.2.3 82C55的3种工作方式 9.2.4 单片机扩展82C55的接口设计 9.2.5 AT89S52扩展82C55的应用举例 9.3 利用74LSTTL电路扩展并行I/O口 9.4 用AT89S52单片机的串行口扩展并行口 9.4.1 用74LS165扩展并行输入口 9.4.2 用74LS164扩展并行输出口 9.5 用I/O口控制的声音报警接口 9.5.1 蜂鸣音报警接口 9.5.2 音乐报警接口
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将0. 46%含碳量(质量分数) 的石墨化碳素钢在万能材料试验机上进行室温压缩变形, 试验钢表现出良好的压缩变形性能.根据载荷-位移曲线的变化特点, 试验钢的压缩变形过程以位移7. 0 mm (对应相对压下量为58. 3%) 为节点分为两个阶段: 在位移≤7. 0 mm的压缩阶段, 载荷呈线性增加, 压缩试样的鼓度值逐渐增加而达到一个极大值(14. 6%), 压缩试样中心位置的维氏硬度增幅最大, 为38. 1 HV, 至位移7. 0 mm时试样端面径向伸长率的增幅为34%;而在位移 > 7. 0 mm的压缩阶段, 载荷呈指数增加, 压缩试样的鼓度值从极大值开始逐渐减小, 至位移为10. 72 mm时(相对压下量为89. 3%), 试样端面的径向伸长率相比于位移7. 0 mm时增加了83. 1%, 压缩试样的中心位置的维氏硬度增幅最小, 为32. 7 HV.上述试验数据表明, 在位移≤7. 0 mm的压缩过程中, 压缩试样内的三个不均匀变形区的位置与传统压缩模型一致, 但是当压缩变形进入位移 > 7. 0 mm的压缩过程中, 试样中心位置已不再是传统压缩模中变形程度最大的变形区了, 即在这个阶段试样中的3个不均匀变形区的变形程度发生了改变.正因这种不均匀变形区变形程度的改变导致了变形过程中载荷的急剧增加和鼓度值的减低.另外, 在压缩变形过程中, 三个不均匀变形区中石墨粒子的微观变形量总是高于铁素体基体, 其原因之一可以归结为石墨粒子中层与层之间容易于滑动的结果
文档格式:PDF 文档大小:104.37KB 文档页数:5
第七章我们讨论了数字调制的三种基本方式:数字振幅调制、数字频率调制 和数字相位调制,然而,这三种数字调制方式都存在不足之处,如频谱利用率低、 抗多径抗衰落能力差、功率谱衰减慢带外辐射严重等。 为了改善这些不足,近几十年来人们不断地提出一些新的数字调制解调技 术,以适应各种通信系统的要求。例如,在恒参信道中,正交振幅调制(QAM) 和正交频分复用(OFDM)方式具有高的频谱利用率,正交振幅调制在卫星通信和 有线电视网络高速数据传输等领域得到广泛应用
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