一、单项选择题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为（ ） A．1 B．0 C．∞ D．100

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

4.0 Introduction 4.1 Device Structure and Physical Operation 4.2 Current-Voltage Characteristics 4.3 MOSFET Circuits at DC 4.4 The MOSFET as an Amplifier and as a Switch 4.5 Biasing in MOS Amplifier Circuits 4.6 Small-Signal Operation and Models 4.7 Single-Stage MOS Amplifiers 4.8 The MOSFET Internal Capacitances and High-Frequency Model 4.9 Frequency Response of the CS Amplifier 4.10 The CMOS Digital Logic Inverter 4.11 The Depletion-Type MOSFET 4.12 The SPICE MOSFET Model and Simulation Example

5.0 Introduction 5.1 Device Structure and Physical Operation 5.2 Current-Voltage Characteristics 5.3 The BJT as an Amplifier and as a Switch 5.4 BJT Circuits at DC 5.5 Biasing in BJT Amplifier Circuits 5.6 Small-Signal Operation and Models 5.7 Single-Stage BJT Amplifiers 5.8 The BJT Internal Capacitances and High-Frequency Model 5.9 Frequency Response of the Common-Emitter Amplifier 5.10 The Basic BJT Digital Logic Inverter 5.11 The SPICE BJT Model and Simulation Examples

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

 可编程接口概术  可编程并行输入／输出接口芯片8255A  可编程定时／计数器接口芯片8253

 概述  串行通信的实现  串行通信的基本术语  可编程串行通讯接口芯片8251A简介  串行通信RS－232C  USB总线简介

2.1辑变量和逻辑运算 一 、二值逻辑变量用大写字母A、B、C···表示,两种取值0和1,代表一对对立状态,例如开关的通断。 二、存在三种与二值变量有关的逻辑运算“与”:只有决定事物结果的全部条件同时具备(为真)时,结果才发生(为真)