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宝钢制造业流程铁钢界面物流参数的解析
文档格式:PDF 文档大小:512.39KB 文档页数:5
利用钢铁制造流程的多维物流管制理论,对宝钢炼铁炼钢生产界面中的空间组织、时间因素、铁水流量和温度等物流参数进行了解析,并对流程物流调控进行了量化处理,使得高炉—铁水预处理—转炉流程的整体优化具有数据支撑。分析结果表明,流程的衔接匹配是稳定生产的关键,同时指出了宝钢生产流程衔接的不合理之处
板坯连铸粘结型漏钢过程模拟及预报
文档格式:PDF 文档大小:367.14KB 文档页数:4
建立了板坯连铸结晶器二维导热数学模型,计算了在正常拉坯状态下结晶器铜版的温度场及铸坯发生拉漏时结晶器温度场的变化.通过对粘结型漏钢过程的模拟和拉漏时结晶器温度场的分析,提出了对粘结型拉漏进行预报的预测参数
D32海洋平台用钢在浪溅区腐蚀行为
文档格式:PDF 文档大小:774.58KB 文档页数:7
通过极化实验和阻抗实验研究了D32海洋平台用钢在浪溅区的腐蚀规律,并利用扫描电镜和能量色散谱仪分析了各钢样的腐蚀产物.结果表明,腐蚀产物的形貌成分和覆盖度的不同导致了模拟全浸区腐蚀速率稍大于钢样在海水中的腐蚀速率,模拟浪溅区腐蚀速率远大于模拟全浸区钢样腐蚀速率.钢样在青岛海水、埕岛海水的全浸区和浪溅区的Nyquist图中出现的韦伯阻抗是由于表面形成的锈层及钙镁层所致
基于离散混沌系统广义同步定理的数字图像加密方案
文档格式:PDF 文档大小:774.22KB 文档页数:6
在建立的离散混沌系统广义同步定理的基础上构造了一个广义混沌同步的离散系统,并结合Henon混沌映射设计了一个数字图像加密方案,能够对灰度图像成功加密并且实现了无失真解密.对该加密方案的密钥空间、密钥参数敏感性分析表明,该加密方案具有较高的安全性.数值仿真实验证明:该加密方案对混沌系统的参数及初始条件扰动极为敏感,任何大于10-15的扰动将使解密失效;该加密方案具有1076的密钥空间,能够有效地应用于网络通讯
辊轧成型工艺制备ZrO2/Al2O3复相陶瓷的性能及结构
文档格式:PDF 文档大小:334.98KB 文档页数:4
采用辊轧工艺,制成了素坯密度较高的氧化锆增韧氧化铝复合陶瓷,并对其性能和结构分别进行了研究。利用多种粒径的粉体混合、多种增韧方式来设计复相陶瓷的显微结构,得到了最佳配比和最佳烧结工艺条件下的ZrO2/nmAl2O3/μmAl2O3复相陶瓷。此陶瓷在1550℃下烧结,得到优良的抗弯强度和断裂韧性
薄板坯连铸液芯铸轧铸坯变形特点
文档格式:PDF 文档大小:434.73KB 文档页数:4
采用弹塑性大变形热力耦合有限元法,模拟薄板坯连铸液芯铸轧过程中的坯壳变形,指出液芯铸轧初始阶段坯壳较薄时铸坯纵向伸长可以忽略,但铸轧后期坯壳较厚时铸坯纵向伸长不能忽略.分析影响铸坯纵向伸长的主要因素,给出铸坯纵向塑性应变与坯壳厚度和压下率的关系
支持向量机动态学习方法及其在票据识别中的应用
文档格式:PDF 文档大小:451.96KB 文档页数:4
介绍了用支持向量机(SVM)进行动态学习训练的方法.解决了在机器学习过程中,训练样本获取比较困难,样本可随外界条件改变而变化的问题.实践证明,使用该方法可以动态跟踪样本的变化,保证SVM分类器的最优性能.利用该方法设计的银行票据OCR系统的实际应用说明了该方法的有效性.
斜井内空气温度和湿度的变化规律
文档格式:PDF 文档大小:441.93KB 文档页数:5
根据传热学理论,建立了斜井内空气温度和相对湿度的数学模型,针对大孤山铁矿东斜井的实际条件,分析斜井内空气温度和相对湿度与距进风口距离和风流速度的变化规律,提出解决斜井内空气潮湿有雾的主要措施,即机械通风可保持斜井内风流流速和方向稳定
铁水预处理脱钛热力学计算与实验分析
文档格式:PDF 文档大小:958.42KB 文档页数:4
铁水预处理脱钛已被应用到实际生产中,铁水中的硅、锰、碳、磷在脱钛的同时都存在被氧化的可能.热力学计算和热模拟实验表明,铁水温度越低越有利于脱钛反应的进行.脱钛时,铁水中硅含量随钛含量的变化呈正比例下降,锰、磷含量变化与钛含量变化关系不大.铁水中碳的氧化主要受铁水温度影响,温度越高碳越容易氧化.要做到深脱钛,需要控制得到更低的铁水硅含量、更低的铁水温度以及抑制碳的氧化
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
文档格式:PDF 文档大小:509.21KB 文档页数:4
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求
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