第一阶段:传统的光学装置及仪器,不能胜任对 复杂光信息高速采集和处理的要求 第二阶段:半导体集成电路技术,可以将探测器 件及电路集成在一个整体中,也可以将具有多个 检测功能的探测器件集成在一个整体中。其价格 低,体积小。例如,将图形、物体等具有二维分 布的光学图像转换成电信号的检测器件是把基本 的光电探测器件组成许多网状阵列结构,引人注 目的器件CCD就是一种将阵列化的光电探测与扫 描功能一体化的固态图像检测器件。它是把一维 或二维的光学图像转换成时序电信号的器件,能 广泛引用于自动检测、自动控制,尤其是图像识 别技术

第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。 (2三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3MOS场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 (2)增强型NMOS管的特性曲线

什么是SMA? SMA Introduce SMA(Surface Mount Assembly)的英文缩写,中文意思是 表面贴装工程是新一代电子组装技术,它将传统的 电子元器件压缩成为体积只有几十分之一的器件。 表面安装不是一个新的概念,它源于较早的工艺,如平装和混合安装

一、填空题(每空1分,共12分) 1、晶闸管的工作状态有正向 状态,正向 状态和反向 状态。 2、某半导体器件的型号为KP507的其中KP表示该器件的名称 为,50表示,7表示

集成电路:它是用一定的生产工艺把晶体管、场效 应管、二极管、电阻、电容、以及它 们之间的连线所组成的整个电路集成 在一块半导体基片上,封装在一个管 壳内,构成一个完整的、具有一定功 能的器件,也称为固体器件

由4.1节知,实现频谱搬移功能的最基本电路是乘法器。 但实际使用的乘法器多利用非线性器件构成的。 我们的任务是找出非线性器件的相乘功能项,以实现 频谱搬移的要求

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

一、光隔离器和光环形器 二、光纤的连接 三、光纤衰减和光开关 四、光纤耦合器 五、光纤光栅 六、波分复用器件

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一、光外调制器及光波导技术与器件 二、光放大器1：掺铒光纤放大器 三、光放大器2：光纤拉曼放大器