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3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、c的对地电位分别为a=-9v,VB= 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

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一、电导的物理现象二、金属的导电性三、半导体的电学性能四、材料的介电性五、材料的超导性

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一、微型机存储系统的概念和体系结构二、存储器的分类及其特点三、半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接四、存储器管理技术五、高速缓存的一般概念

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1.3.3晶体管的共射特性曲线一、输入特性曲线

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第一章微型计算机的系统结构与工作原理第二章微型计犷机中的数制与编码第三章8086微处理器第四章半导体存储器第五章8086指令系统第六章汇编语言程序设计第七章8086CPU的总线操作与时序第八章输入/输出技术

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6.1半导体存储器的分类 6.2读写存储器RAM 6.3现代RAM 6.4只读存储器ROM

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一、填空题 1、某半导体器件的型号为KS50-7的,其中KS表示该器件的名称

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一、填空题(每空1分,共12分) 1、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。 2、某半导体器件的型号为KP507的其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示

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第一部分电子线路实验基础实验一元器件知识及仪器使用第二部分常用实验仪器仪器一 YB1713双路直流稳压电源仪器二 XD22型低频信号发生器仪器三 COS5020TM型双踪示波器仪器四 AS2173D型交流毫伏表仪器五 XJ4810A型半导体管特性图示仪

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2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV