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重庆大学:《数字电子技术基础 Digital Electronics Technology》课程教学资源(PPT课件讲稿)第二章 逻辑函数
文档格式:PPT 文档大小:979.5KB 文档页数:65
逻辑代数( Logic Algebra)是由英国数 学家乔治布尔( George Boole)于1849年首 先提出的,因此也称为布尔代数( Boolean Algebra)。逻辑代数研究逻辑变量间的相互 关系,是分析和设计逻辑电路不可缺少的数学 工具。所谓逻辑变量,是指只有两种取值的变 量:真或假、高或低、1或0
重庆大学:《数字电子技术基础 Digital Electronics Technology》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六章 时序逻辑电路
文档格式:PPT 文档大小:9.06MB 文档页数:78
1.时序逻辑电路的工作原理、分析方法&设计方法。 2.介绍常用时序逻辑电路(MSI)的工作原理和使用方法
陕西科技大学:《电工技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)第2章 直流电阻电路分析
文档格式:PPT 文档大小:680.5KB 文档页数:37
一、支路电流法与节点电压法 二、叠加定理与戴维南定理 三、电路等效概念及其应用
陕西科技大学:《电工技术基础》课程教学资源(PPT课件讲稿)第4章 三相正弦电路分析
文档格式:PPT 文档大小:344.5KB 文档页数:17
一、三相电源及三相负载的正确联接 二、对称三相交流电路电压、电流和功率计算 三、三相四线制电路中中线的作用 四、安全用电的常识和重要性 五、接零、接地保护的作用和使用条件 六、静电保护和电气防火、防爆的常识
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:526.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:96KB 文档页数:6
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
西南交通大学:《模拟电子技术》第三章 半导体三极管及其应用
文档格式:PPT 文档大小:2.09MB 文档页数:164
一、半导体三极管 二、放大电路的图解分析法 三、放大电路的小信号模型分析法 四、放大电路工作点稳定 五、共集电极和共基极电路 六、放大电路的频率响应 七、放大电路的瞬态响应
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