阻抗的单位:欧姆g;导纳的单位:西门子S推广到一个不含独立电源的网络No

非线性电路的分析仍遵循KCL、KVL这两个原则。 欧姆定律、叠加定理等不适用于非线性电路。 图解法: ①曲线相加法 ②曲线相交法

变压器: 一个线圈接电源初级线圈或原边 另一个线圈接负载——次级线圈或副边K较大属紧耦合;K较小,属松耦合。心子为非铁磁材料称空心变压器

6-2相量法的基本知识 一、复数 (1)代数形式A=a+jba—实部b—虚部 a=R[A]=R[a+jb]R取实部 b=m=mla+jm取虚部 一个复数可以表示在复平面上

二端网络:对外具有两个端钮的网络,又称单口网络、 一端口网络。 负载R1分别取2和4时,求流过该负载的电流

一、变量:树支电压。 二、方法:根据基本割集建立KCL方程。 三、方程数:有n-1个树支电压,方程数=n-1 选一个合适的树:将电压源及电压控制量选为树支,电流源及电流控制量选为连支

NEW WORDS AND PHRASES personalize[pa: sanal a iz]v.使个人化 convenient[kan'vi: n an t]a.便利的,方便的 rapidity[ra' p i d i t i]n.快,迅速 severe[si'via]a.严格的,严重的 estrict[ris' trik t]v.限制,约束 vary[' v Ear I]v.改变,变化,不同

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V