在MOS电容金属电极上，加以脉冲电压，排斥掉半 导体衬底内的多数载流子，形成“势阱”的运动， 进而达到信号电荷（少数载流子）的转移。 图像传感器：转移的信号电荷是由光像照射产生； 若所转移的电荷通过外界诸如方式得到，则其可以 具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功 能

光的波长与频率的关系由光速确定，真空中的光速 c=2.99793×1010cm/s，通常c≈3×1010cm/s。光的波长 λ和频率ν的关系为 ν的单位为Hz，λ的单位为cm

外光电效应: 在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。 如光电管、光电倍增管 内光电效应: 在光线作用下能使物体电阻率改变的现象， 如光敏电阻等属于这类光电器件。 阻挡层光电效应(光生伏特效应): 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动 势的现象

3.5.1 基本原理 3.5.2 传感器的形式 3.5.3 参数选取的基本原则 3.5.4 压磁传感器的误差

当导体置于交变磁场或在固定磁场中运动时，导体内引起感应电流，此电流在导体内闭合,称为涡流

差动变压器是把被测的非电量变化转换成线圈互感量的变化。这种传感器是根据变压器的基本原理制成的，并且次级绕组用差动的形式连接，故称之为差动变压器式传感器

2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿

5.1.非简并定态微扰理论 5.2.简并情况下的微扰理论 5.3.氢原子的一级斯塔克效应 5.4.变分法 5.5.氦原子基态(变分法) 5.6.与时间有关的微扰理论 5.7.跃迁几率 5.8.光的发射和吸收 5.9.选择定则

一、二次型的标准形 二、用正交变换法化二次型为标准形 三、用拉格朗日配方法化二次型为标准形 四、二次曲面的化简

一、特征值与特征向量的概念及性质 二、特征值与特征向量的计算