第一节概述 第二节单自由度系统的受迫振动 第三节振动的激振 第四节激振器 第五节振动的测量方法及测振传感器 第六节振动的分析方法与仪器 第七节机械系统振动参数的估计 第八节测振装置的校准

7.1随机存取存储器(RAM) RAM的基本结构 RAM的存储单元 RAM的容量扩展 RAM的芯片介绍 7.2只读存储器(ROM) ROM的分类 ROM的结构及工作原理 ROM的应用 ROM的容量扩展

一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PNP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

一、填空(本题25分) 1.对共射、共集和共基三种组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望高頻性 能好,应选用 组态

1. CE、CC、CB高频（或低频）等效电路存 在两个节点 2. 观察每个节点的τ＝RnCn，可知fpn 3. 分析主极点

• 10.1 数字电路概述 • 10.2 逻辑门电路 • 10.3 逻辑函数及其化简 • 10.4 组合逻辑电路的分析与设计 • 10.5 组合逻辑部件

一、填空(本题25分) 1.互导互导增益互阻AR=o 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.GB≥50MHz 4.提高降低加宽增大减小

10.1数字电路概述 10.2逻辑门申路 10.3逻辑函数及其化简 10.4组合逻辑电路的分析与设计 10.5组合逻辑部件

一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极, B为 极,C为 极