第一节 包装材料的定义及分类 第二节 包装材料在包装中的地位 第三节 包装材料性能要求及选用原则 第四节 包装材料的发展史及前景

什么是OLED？ 有机电致发光(OLE)就是指有机材料在 电流或电场的激发作用下发光的现象。根 据所使用的有机电致发光材料的不同,人们 有时将利用有机小分子为发光材料制成的 器件称为有机电致发光器件,简称OLED;而 将利用高分子作为电致发光材料制成的器 件称为高分子电致发光器件,简称PLED。 但通常将两者笼统地称为有机电致发光器 件,也简称OLED

第十六章功能高分子材料 一、功能高分子材料及其分类 二、功能高分子材料的应用 三、功能高分子材料的发展概况 实验三十四高吸水性树脂的制备 实验三十五光致变色聚合物的制备

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

砂石材料是道路与桥梁建筑中用量最大的一种建筑材料,按照用途不同,砂石材料可以分为石料、集料和矿质混合料。 3.1石料 3.2集料 3.3矿质混合料

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

本章共讲四个问题： 一、高分子材料及其产品分类； 二、化学纤维、塑料、橡胶的品质表征； 三、高分子材料加工过程及加工方法概述。 四、高分子材料工业的发展及其在国民经济中的应用； 其中高分子材料概念及分类，化学纤维、塑料、橡胶的品质表征是重点

一、名词解释(2x5=10分) 1.混凝土的强度等级 2.石灰的陈伏 3.钢材的时效处理 4.水泥石中毛细孔 5.木材的纤维饱和点 二、填空题(1x20=20分) 1.材料的吸水性用水表示,吸湿性用米表示。 2.当石灰已经硬化后,其中的过火石灰才开始熟化,体积引起米。 3.导热系数、比热的材料适合作保温墙体材料

主要内容: 一、轴的分类及材料 二、轴的结构设计

碳/碳复合材料作为热防护材料多用在高超声速飞行器鼻锥、机翼前缘等位置。为准确预测其传热及烧蚀响应，采用多场耦合策略，考虑外部流场热化学非平衡效应、固体材料传热以及材料表面烧蚀，建立高超声速气动热环境下碳/碳复合材料的流?热?烧蚀多场耦合模型，预测碳/碳复合材料瞬态温度场分布、烧蚀速率以及烧蚀外形变化等。计算得到材料模型驻点区壁面温度和热流值随着时间的推移发生了显著的变化，初始时刻热流值较大，1 s时驻点热流密度为17.22 MW?m?2，随着时间推移，壁面温度增大，驻点区温度梯度减小，热流值也减小，30 s时驻点热流密度为10.22 MW?m?2。材料模型驻点区的温度较高，材料表面反应活跃，烧蚀较为严重，而模型侧面只发生少量烧蚀，烧蚀前后材料模型外形发生一定的变化，前缘半径增大，30 s时材料驻点烧蚀深度为17.47 mm。结果表明：在高超声速气动热环境下，碳/碳材料模型发生一定的烧蚀后退，导致外部流场以及热载荷发生变化，采用流?热?烧蚀多场耦合模型可有效预测不同时刻材料的传热及烧蚀响应，为热防护系统的设计提供一定的参考