1、组合逻辑电路的特点、分析方法和设计方法 2、各种常用典型组合逻辑电路的工作原理和使用方法 3、组合逻辑电路的竞争冒险现象

5.1 概述 5.2 时序逻辑电路的分析方法 5.3 若干常用时序逻辑电路 5.3.1 寄存器和移位寄存器

可采用与同步时序电路设计的方法，应注意时钟脉冲的选取 例用D触发器设计x1

第十章分布参数电路 主要内容: 1、分布参数电路概念及数学模型 2、正弦稳态解 3、行波分析 4、无反射线,无畸变线 5、无损耗线及应用 6、分布参数电路过渡过程概念

2.1正弦量的特征值及表示方法 2.1.1正弦量的特征值 2.1.2正弦量的表示方法 2.2正弦交流电路的分析与计算 2.2.1 单一参数的正弦交流电路

3.2 .1 有源负载共射放大电路的分析 3.2.2 有源负载共集电极电路（射随器)

（1）理想运算放大器的外部特性； （2）含理想运算放大器的电阻电路分析； （3）熟悉一些典型的电路；

重点 (1)理想运算放大器的外部特性; (2)含理想运算放大器的电阻电路分析; (3)熟悉一些典型的电路;

电学实验操作规程 电磁学实验的常用仪器和器件 实验一 电表的改转装和校准 实验二 电位差计的原理和使用 实验三 示波器的原理和使用 实验四 模拟静电场 实验五 交流电路的谐振现象 实验六 用冲击电流计测定螺线管磁场 实验七 示波器测绘铁磁材料的磁化曲线和磁滞回线 实验八 RLC 串联电路的稳态过程 实验九 RLC 串联电路的暂态过程 实验十 交流电路功率的测量和功率因数的提高 实验十一 密立根油滴实验 实验十二 磁阻效应及磁阻传感器 设计实验 周期函数的傅里叶分析

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较