5.1 概述 5.2 SR锁存器 5.3 电平触发的触发器 5.4 脉冲触发的触发器 5.5 边沿触发的触发器 5.6 触发器的逻辑功能及其描述方法 5.7 触发器的动态特性

⒈ 会数制转换； ⒉ 符号数的代码表示及应用； ⒊ 8421BCD码、5421BCD码、余三码、格雷码；

3.1 概述 3.2 组合逻辑电路的基本分析和设计方法 3.3 若干常用的组合逻辑电路 3.4 组合电路中的竞争－冒险

学习要点： •熟悉常用ROM的内部结构和使用方法 •熟悉常用RAM的内部结构和使用方法 •掌握存储器容量的扩展方法（字、位） •了解可编程逻辑器件：PLD、PAL、GAL 10.1 半导体存储器 10.1.1 只读存储器（ROM） 10.1.2 随机存储器（RAM） 10.1.3 存储器容量的扩展 10.2 可编程逻辑器件 10.2.1 PLD的电路表示法 10.2.2 可编程阵列逻辑器件PAL 10.2.3 通用阵列逻辑器件GAL

9.2.1电路如图题9.2.1所示,试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡,哪个不能,并简 述理由。加,增症以

4场效应管放大电路 4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vs=4V时的转移特性

一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极, B为 极,C为 极

一、填空(本题25分) 1.对共射、共集和共基三种组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望高頻性 能好,应选用 组态

2-1.简述二极管、三极管的开关条件。 2-2.反相器如图题2-2所示。在Un、U一定的情况下,定性回答下列问题。 (1)为提高输入低电平时的抗干扰能力,R1、R2、-U应如何选取? (2)为提高输入高电平时的抗干扰能力,R1、R2、-uc、B、应如何选取?

学习目标： 理解生产函数的定义和要点，掌握边际生产力递减规律和规模报酬递减规律的内容，了解平均产出和边际产出的关系，平均成本与边际成本之间的关系； 第一节 生产技术 第二节 短期生产函数 第三节 长期生产函数 第四节 成本分析