§2.1 半导体材料特征（一次课） §2.2 半导体结合的性质（一次课） §2.3 量子力学基础（一次课） §2.4 半导体能带和导电机制 （一次课）

• 半导体探测器的工作原理。 • 半导体探测器与气体探测器相比，有哪些优点和缺点？ • 成为半导体探测器需要满足的条件。 • 使一个PN结成为实用的核辐射探测器需要满足的条件。 • 金硅面垒探测器的构成和工作原理。 • 硅锂漂移探测器的构成和工作原理。 • 高纯锗探测器的构成和工作原理。 • 比较三种常用半导体探测器的特性

• 半导体探测器的工作原理。 • 半导体探测器与气体探测器相比，有哪些优点和缺点？ • 成为半导体探测器需要满足的条件。 • 使一个PN结成为实用的核辐射探测器需要满足的条件。 • 金硅面垒探测器的构成和工作原理。 • 硅锂漂移探测器的构成和工作原理。 • 高纯锗探测器的构成和工作原理。 • 比较三种常用半导体探测器的特性

3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体

采用电化学阻抗测试技术(EIS)、Mott-Schottky方法对β相模型合金在Cl-溶液环境中形成的表面膜的稳定性和半导体特性进行研究.结果表明,Cl-浓度的增加,使β相表面膜形成和活化溶解的趋势均加剧,即表面膜的稳定性变差.原因在于Cl-浓度较低时,β相表面膜的半导体类型为P型,P型半导体膜是一种阳离子导体膜,Cl-很难通过迁移扩散的方式穿过表面膜.随着Cl-浓度的增大,β相表面膜的半导体类型转变为N型,N型半导体膜便于Cl-穿越膜层到达膜层底部,继续腐蚀金属并使表面膜发生破裂

1.半导体材料的分类 2.半导体材料的基础物性 3.半导体的压阻效应 4.半导体敏感元件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

本项目将主要介绍半导体器件中的二极管、三极管、场效应管、晶闸管和单结晶体管的结构、特性、参数和应用。通过各种半导体器件的识别和检测，掌握半导体器件在电子电路中的应用。•掌握半导体和PN结•了解二极管结构、分类、特性和参数•熟悉常用二极管的特性及应用•掌握二极管的检测•掌握晶体三极管的结构和分类•掌握晶体三极管的特性曲线•熟悉晶体三极管的主要参数及选用方法•掌握晶体三极管的检测•掌握场效应管的结构和工作原理•熟悉场效应管的参数和使用特点•掌握场效应管的检测•掌握单向、双向晶闸管的结构、特性和工作原理•了解单向、双向晶闸管的主要参数•掌握单向、双向晶闸管的检测•掌握单结晶体管的工作原理、特性曲线和参数了解单结晶体管的应用

1.4.1 半导体器件的命名方法 1.4.2 半导体二极管 1.4.3 半导体三极管