利用热重分析仪、扫描电镜和电子探针研究了含As或者Cu+As的C-Mn钢的高温氧化特性.1050℃氧化初期约500 s内,As钢和Cu-As钢为线性氧化阶段,随后转为抛物线氧化,两种钢的抛物线氧化速率均高于C-Mn钢.因氧化层分离,1150℃氧化增重小于1050℃氧化增重.钢中Cu和As的存在促进了固相Fe2SiO4层的生长.由于As在氧化层/基体界面的富集,1050℃氧化时,As钢中存在明显的条带状内部氧化粒子层;C-Mn钢中加入Cu和As后,其氧化层/基体界面变得崎岖不平,内部氧化粒子的数量随着氧化时间及氧化温度的增加而增加.1050℃氧化时氧化层/基体界面处Cu和As的富集程度高于1150℃氧化

铜镍铬锰铸钢是一种高强度低合金钢,用于造船工业。它在制造过程中常因裂纹缺陷而报废。本文利用金相显微镜、扫描电镜、电子探针及俄歇谱仪等手段,研究了铜镍铬锰铸钢裂纹的性质及其产生的原因。试验结果表明裂纹属于沿晶的脆性断裂。裂纹的产生是因为凝固时形成的显微偏析导致γFe+(Fe、Cr、Mn)3C共晶Cr沿奥氏体晶界析出所致。碳扩大凝固温度间隔和降低合金元素的平衡分配系数,因而增加了铬的偏析比。因此降低碳和硫的含量,提高钢液的纯洁度和加速铸件的凝固速度是消除晶间共晶和裂纹的有效措施

本文用热分析法,金相法和电子探针微区分析考祭了铈对35GrNi3MoV和20GrMoV二种低合金钢的凝固和枝晶偏析的影响。实验结果表明:稀土元素铈加入钢中,减轻了钢液—固转变的过冷,推迟钢的包晶反应进行;细化初次晶粒,细化等轴晶的二次枝晶臂;并在不同程度上减轻了Cr、Mo、V、Mn、Si、Ni等元素的枝晶偏析

利用电子探针对实验室以及工厂冶炼的低碳Fe-25Mn-3Si-3Al TWIP钢的显微偏析进行系统性检测.结果表明:该TWIP钢的实验室铸锭和工厂AOD电极锭具有明显的枝晶偏析,其中AOD电极锭的偏析程度更高,Mn和Al的最大偏析量分别高达6.8%和2.4%;AOD电极锭经电渣重熔后晶界偏析显著,偏析程度并没有得到明显减轻;最后经工厂高温锻造成型后的锭坯中晶界偏析得到改善.合金成分高和结晶温度间隔宽是产生较大显微偏析的主要原因.该TWIP钢的所有试样均呈相同的偏析规律,Mn为负偏析,Al和Si呈正偏析,且Al的偏析程度最高.通过Thermo-Calc对该TWIP钢的溶质分配系数进行计算,发现Mn和Al理论预测的显微偏析规律与实验所得的规律完全相反.通过实验验证,得出Si含量是影响Mn和Al偏析规律的决定性因素

本文研究了Ta-Cl2-H2体系在45钢表面化学气相沉积钽涂层工艺,讨论了钽的沉积速度与温度、五氯化钽和氢气压力之间的关系。本文还扼要介绍了用金相、x射线衍射和电子探针分析等方法测定涂层结构的研究结果。腐蚀试验结果表明,涂层样品在37.7%HCl,63%H2SO4介质中具有很高的抗蚀能力,其腐蚀速率比未涂层的可降低2～3个数量级

在650、680和710 ℃不同温度条件下对碳质量分数为0.66%的淬火高碳钢进行了石墨化处理，并利用场发射扫描电子显微镜、电子探针、X-射线衍射仪和透射电子显微镜对其石墨化过程的组织进行金相分析，以及利用组织转变动力学理论，绘制了其石墨化过程的动力学曲线，并建立了相应的动力学方程。研究结果显示：在石墨化过程中，淬火马氏体首先向析出碳化物的稳定状态转变，且在碳化物为渗碳体Fe3C时，石墨粒子析出速度开始明显增加；基体组织中针叶状α-Fe发生再结晶，由等轴状铁素体逐步代替针叶状的α-Fe；铁素体中的碳含量随着石墨化时间的延长而逐步降低，即由过饱和状态转变为稳定态，碳含量在石墨粒子中突变增为峰值，而铁含量则突变降为谷值，由此表明，渗碳体分解的碳向石墨核心扩散，铁自石墨核心处扩散出来，而形成石墨粒子；石墨粒子面积分数随时间变化的曲线呈S形状，即该动力学过程符合动力学模型JMAK（Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov）方程，且该方程中的n值为1.5～1.7

基于高炉破损调查取样分析,借助 X 射线荧光分析、X 射线衍射分析、电子探针分析、扫描电子显微镜结合能谱分析 等手段分析了高炉炉缸、炉底不同部位形成的含钛保护层化学成分、物相组成和微观形貌,并建立正规溶液热力学模型对 Ti (C, N)形成的热力学条件进行分析,然后针对高炉的实际工况,明晰高炉炉缸 TiC0郾 3N0郾 7形成的条件

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,简称SEM)是继透射电镜(TEM )之后发展起来的一种电子显微镜 扫描电子显微镜的成像原理和光学显微镜或 透射电子显微镜不同,它是以电子束作为照 明源,把聚焦得很细的电子束以光栅状扫描 方式照射到试样上,产生各种与试样性质有 关的信息,然后加以收集和处理从而获得微 观形貌放大像

❖ 第一节 电子光学基础 ❖ 第二节 电子与固体物质的相互作用 ❖第三节 透射电镜（TEM） ❖第四节 扫描电镜 ❖第五节 电子探针(Electron Micro￾probe Analysis, EMPA or EPMA) 第六节 扫描隧道显微镜 (STM) 第七节 原子力显微镜 (AFM) 第八节 电子显微镜分析在材料研究中的应用 ❖ 一、形态、精度的分析 ❖ 二、元素的存在状态分析 ❖ 三、玻璃的非晶态结构分析 ❖ 四、材料断面的研究 ❖ 五、晶界（微观研究） ❖ 六、微区结构分析 ❖ 七、高分子材料的研究