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通过热膨胀试验研究实验钢的等温转变动力学,采用盐浴等温淬火工艺制备超细贝氏体组织,利用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射仪定量分析工艺参数对微观组织结构的影响.结果显示:实验钢室温组织由大量超细板条状贝氏体铁素体和板条间分布的薄膜状奥氏体的复相组织构成,210℃等温淬火得到的贝氏体板条间距细化到约60 nm,硬度约为HBW610;实验钢的最终组织特征取决于发生贝氏体转变的等温温度和等温时间,等温温度越低时贝氏体转变完成需要的等温时间越长
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利用X射线技术检测了普通工艺和改进工艺制备的内联导电铝膜的织构.分析表明,高体积量且锋锐的{111}面织构可以大幅度降低大规模集成电路芯片的失效率.讨论了失效的原因及{111}织构的有利作用.指出了新一代内联导电铜膜相应织构问题的重要性
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测定了3CrMnMoVS钢过冷奥氏体连续冷却转变曲线(CCT曲线),并利用CCT曲线着重分析该钢在中等冷速(200—1000℃/h)下连续冷却后的光学和薄膜金相组织。结果表明,在冷却速度大于0.72℃/S条件下连续冷却,金相组织主要是板条马氏体。空冷条件下,其金相组织主要是中温转变产物:B粒+B上+B下的精细混合组织,且基体上弥散分布细小颗粒状VC
文档格式:PDF 文档大小:406.23KB 文档页数:3
利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡
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6.1、定量分析方法 6.1.1、第一性原理模型 First Principle Model 6.1.2、元素灵敏度因子法 6.1.3、定量精确度和误差来源 6.1.4、一个定量分析例子 6.2 深度剖析方法 6.2.1、深度分布信息 6.2.2、角分辨XPS深度剖析(d ~ λ) 6.2.3、离子溅射深度剖析(d>>λ) 6.2.4、在薄膜材料研究中的应用
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1. 聚合物材料分析 2. 催化剂及其性能研究 3. 合金材料中杂质的扩散 4. 微电子器件的失效分析 5. 在材料物理学中的应用 6. 在材料化学中的应用 7. 在腐蚀科学中的应用 8. 薄膜材料分析和研究
文档格式:PDF 文档大小:652.51KB 文档页数:5
采用直流磁控溅射法在镁合金上沉积铝膜,在高真空下对铝膜进行加热后处理.用X射线衍射仪(XRD)分析膜层为纯铝多晶态,扫描电子显微镜(SEM)观察铝膜晶粒细小.采用纳米压痕/划痕仪对铝膜的厚度、临界附着力、硬度和弹性模量进行了测试,并且用辉光放电光谱仪(GDS)测试了镁合金表面铝膜的成分和性能随薄膜深度的分布.结果表明,铝膜的厚度随后处理温度的升高而降低,其表面硬度和弹性模量高于镁合金基体并且随深度增加而逐渐降低.铝膜与镁合金基体间存在一个过渡层,结合良好且表现出一定的弹塑性能,有利于镁合金表面的防护
文档格式:PDF 文档大小:928.47KB 文档页数:6
采用Gleeble 1500热模拟机对CSP生产的SS400、Q235B和Q345B钢的热塑性进行了研究.结果发现,所研究的钢存在两个低塑性区,即凝固脆性温区(Tm~1 310℃)和低温脆性温区(850~725℃).试样断口金相和成分分析表明:产生凝固脆性温区的原因主要是高温下枝晶间有害元素S、P和O富集形成液膜;产生低温脆性温区的原因主要是奥氏体晶界出现铁素体薄膜以及细小AlN析出造成连铸坯的塑性降低.根据研究结果,提出了改善钢的热塑性防止铸坯裂纹的工艺建议
文档格式:DOC 文档大小:24.5KB 文档页数:2
实验三十一二次导数单扫伏安法测定水中的镉 一、实验目的 1.熟悉控制汞滴极谱(伏安)法的基本原理和特点 2.掌握JP303型极谱仪的基本使用方法 二、仪器介绍 JP—303型极谱分析仪,采用进口的数字和模拟集成电路芯片,模/数和数/模转换 为12位(精度达1/4096),因此有很高的可靠性、稳定性、重现性和准确度。仪器采月 彩色薄膜功能键和CRT显示器实现全汉字的人机对话,通过屏幕菜单和提示行指导使用 者进行操作
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本文通过在EM400T透射电镜上用一些标准成分的样品进行薄膜无标样成份分析实验,检验了EDAX9100能谱仪的分析准确度。在本试验所用的样品范围内,其准确度为:近邻元素同一X光线系分析相对误差为5~10%,非近邻元素不同线系分析相时误差较大,可达20~50%。试验证明在分析元素的质量吸收系数之差Δμ较大时,还必须考虑吸收修正。通过对K因子的讨论,得出与本实验结果符合比较好的薄膜能谱理论公式组合为:取BeThe-Powell公式的电离截面QBP∞(1n0.65U)/U·Ej2,K系、L系、M系的线系常数调整后取bK:bL:bM=0.35:0.35:0.24,荧光产额用Bambynek的ωK和wentzel的ωL和ωM。用以上公式组合并经过吸收修正,对所有线系计算结果相对误差小于10%
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