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本文介绍了热膨胀示差法测量金属与陶瓷的封接应力的装置,参考陶瓷电子管的制管工艺要求,用这种设备测定了两种Fe-Ni-Co膨胀合金<牌号4J29、4J33>、无氧铜等与95%Al2O3陶瓷制成的封接件,在室温800℃之间瓷件应变量随温度的变化曲线,实验表明,对具有“因瓦反常”效应的4J29、4J33合金,室温封接应力不是决定于在焊接温度时两种材料的膨胀差,而是决定于在合金居里温度<约400℃>的膨胀差值,在此温度,合金的平均线膨胀系数越低于陶瓷,室温封接应力越低,这一结果和用电阻应变仪法测量的相一致,封接过程中的应力松弛作用表明了产生这种现象的原因。实验还表明,在高温下的焊料变形和无氧铜的塑性变形均对封接应力有显著影响
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通过抗弯强度测试研究了LiF和CaF2对陶瓷结合剂性能的影响.结果表明在Al-Si-O系陶瓷结合剂中,CaF2的析晶现象明显大于LiF.以LiF为助溶剂的陶瓷结合剂比用CaF2为助溶剂的陶瓷结合剂熔点低、粘接强度大.当以LiF为助熔剂时,可以用摩尔数比值(Al2O3+B2O3)/(R2O+RO+0.5LiF)判断陶瓷结合剂自身的强度
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通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体
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利用反应烧结的方法,通过甲烷碳化还原三种过渡金属氧化物(Cr2O3、TiO2和WO3)压坯,制备了其相应的多孔形态的碳化物(Cr3C2、TiC和WC)陶瓷.通过扫描电子显微镜观察检测,对反应烧结产物的表面和截面形貌进行了分析,并对这三种过渡金属碳化物的孔隙结构进行了初步的表征.通过物相分析研究了反应烧结的动力学过程,发现利用含体积分数10%甲烷的混合气体碳化还原制备多孔TiC和WC陶瓷的起始温度分别为1200℃和1000℃,低于这两个温度时发生其他相变,有其他中间产物生成.利用反应烧结的方法制备多孔Cr3C2陶瓷时,反应烧结温度越高,碳化铬陶瓷的骨架和孔隙平均尺寸越大
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第七章典型的陶瓷材料 第一节结构陶瓷 第二节功能陶瓷 第三节陶瓷耐火材料 第四节玻璃
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5.1 陶瓷的性质 5.2 陶瓷的加工 5.3 工程陶瓷材料 5.4 金属陶瓷 5.5 玻璃
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一、化工陶瓷的种类及性能要求 化工陶瓷是化学工业中一种重要的非金属耐腐蚀材料。它不易氧化,具有优异 的耐腐蚀性能、良好的硬度与刚度和很高的耐压强度。在湿氯、盐水、盐酸和醋酸 等介质中,其耐腐蚀性、耐磨性、不污染介质等性能相当优越。广泛应用于石油化 工、化肥、制药、食品、造纸、冶炼、化纤和电镀等工业中
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采用Al2O3、Y2O3为助烧剂,液相烧结获得了致密的α-SiC和β-SiC陶瓷,并研究了SiC了烧结体的物相组成和微观结构.实验结果表明,Al2O3,Y2O3原位形成了YAG,材料以液相烧结机制致密化,α-SiC通过溶解和再析出机制,促进晶体生长,并形成\Core/Shell\结构.物相分析表明,β-SiC陶瓷粉末在烧结过程中发生了β→α的相变.微观结构观察显示,β-SiC陶瓷中生成了长柱状晶粒
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日前,江西省景德镇市中级人民法院公开开庭审理了福建省晋江市品质陶瓷 建材有限公司(以下简称品质陶瓷)诉王云龙不正当竞争及商标侵权纠纷一案, 当庭判决王云龙立即停止在因特网上使用其注册的中文域名国星建材和英文域 名:www.guoxing-cn.com,赔偿原告品质陶瓷经济损失 1 万元
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