一、逻辑代数基础 二、组合逻辑电路 三、常用集成时序逻辑器件及应用 四、脉冲波形的产生与变换 五、存储器和可编程逻辑器件 六、集成逻辑门 七、触发器 八、时序逻辑电路 九、用VHDL进行数字系统设计

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

2.1分立元件门电路 2.2TTL集成逻辑门电路 2.3其他类型的TTL门电路 2.4Ms逻辑门 2.5使用逻辑门的几个实际问题

用数学方法表示命题陈述的逻辑结构，将形式逻辑归结为代数演算， 称为 “布尔代数”。将布尔代数用于集成电路逻辑门，称为逻辑代数

3.1 半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 3.1.1 理想开关的开关特性 3.1.2 半导体二极管的开关特性 3.1.3 半导体三极管的开关特性 3.1.4 MOS管的开关特性 3.2 分立元器件门电路 3.2.1 二极管与门和或门 3.2.2 三极管非门（反相器） 3.3 CMOS集成门电路 3.3.1 CMOS反相器 3.3.2 CMOS与非门、或非门、与门和或门 3.3.3 CMOS与或非门和异或门 3.3.4 CMOS传输门、三态门和漏极开路门 3.4 TTL集成门电路 3.4.1 TTL反相器 3.4.2 TTL与非门、或非门、与门、 3.4.3 TTL集电极开路门和三态门 3.4.4 TTL集成电路和其他双极型集成电路

本章学习重点在TTL和CMOS集成电路的外部特性，主要有两个方面：一是输入与输出之间的逻辑功能；二是外部电气特性及其主要参数。 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑门的接口电路

这一章的习题大致可以分为四种类型:双极型三极管工作状态的计算、集成 广」电路逻辑功能的分析、输入特性和输出特性的应用、OD门和OC门外接上拉 电阳的计算。下而结合例题说明它们的解题方法。 双极型三极管工作状态的计算 在三极管开关电路巾,为了使三极管作在开关状态,必须保证输入为低电 平时三极管T作在截止状态,而输入为高电平时三极管工作在饱和导通状态

随着半导体技术的发展在一个半导体芯片上集 成的电子元件数目越来越多,并按集成的电子元件数 目的多少划分为: SSI:10门以下/片,每片含100个元件以下

第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试