通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb(Zr0.5-Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]nH系统变成了导体

一、 预科实验 实验一 测定冰的熔化热 实验二 电学实验基本知识和测量非线性元件的伏安特性 实验三 示波器的使用 实验四 测量薄透镜的焦距 实验五 显微镜 二、 基础实验-I 实验六 测量误差和不确定度 实验七 测定金属的杨氏模量 实验八 刚体转动实验 实验九 气轨上弹簧振子的简谐振动 实验十 扭摆的受迫振动 实验十一 复摆实验 实验十二 测定媒质中的声速 实验十三 弦上驻波实验 实验十四 直流电桥测量电阻 实验十五 用非平衡测量铂电阻的温度系数 实验十六 霍尔效应测量磁场 实验十七 LCR的谐振现象 实验十八 弗兰克-赫兹实验 实验十九 虚拟仪器基础-LabVIEW入门 实验二十 分光计的调节和用掠入射法测折射率 实验二十一 光衍射的定量研究 实验二十二 观察光的偏振现象 实验二十三 迈克耳孙干涉仪 三、 基础实验-II 实验二十四 高温超导材料特性测试和低温温度计 实验二十五 闪光法测定不良导体的热导率 实验二十六 动态法测定良导体的热导率 实验二十七 真空镀膜实验 实验二十八 交流电桥 实验二十九 RLC串联电路的暂态过程 实验三十 磁滞回线的测量 实验三十一 光栅特性及测定光波波长 实验三十二 偏振光的定量研究 实验三十三 全息照相 实验三十四 阿贝成像原理和空间滤波 实验三十五 光源的时间相干性 实验三十六 光栅光谱仪的校准和使用 实验三十七 光学多道分析器（OMA）研究氢原子光谱 实验三十八 微波的布拉格衍射 实验三十九 X射线衍射 实验四十 共振法测定杨氏模量及其与温度的关系

8.1 霍尔效应与霍尔元件 8.2 集成霍尔传感器 8.3 霍尔传感器的应用

复旦大学：《设计性研究性物理实验》教师论文_用集成霍尔传感器研究霍尔效应及测量螺线管磁场分布

一、了解霍尔元件测磁场的原理。 二、学会测量各种曲线及样品的电导率 三、学习用“对称测量法”消除附加效应的影响

4.1 磁敏传感器的物理基础——霍尔、磁阻、形状效应 4.2 霍尔元件 4.3 磁阻元件 4.4 磁敏二极管 4.5 磁敏三极管 4.6 磁敏传感器的应用 思考题与习题

一、定义 磁敏传感器是基于磁电转换原理的传感器。1856年发现磁阻效应， 1879年发现霍尔效应60年代初开始应用。 二、分类 体型：霍尔传感器，磁敏电阻 结型：磁敏二极管，磁敏晶体管

一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

1 微波基本测量 2 二维电场的模拟实验 3 电磁波的布拉格衍射实验 4 射频图像传输 5 偏振光实验 6 光源光谱特性的测量 7 光磁共振实验 8 半导体光电导实验 9 光栅实验 10 单色仪的标定实验 11 迈克尔逊干涉仪 12 半导体光伏效应实验 13 半导体霍尔效应实验 14 PN 结正向压降温度特性实验 15 半导体少数载流子寿命测量 16 四探针测电阻率实验

霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于 1879 年在他的导师罗兰 指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。 六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中 得到了广泛应用