点击切换搜索课件文库搜索结果(1740)
文档格式:PDF 文档大小:12.13MB 文档页数:10
以最小Gibbs自由能法计算固体氧化物燃料电池在不同组成碳基燃料气体组成下的理论积碳量,在此基础上讨论电池的理论开路电压(OCV),并测试在CO2重整甲烷下Ni-YSZ‖YSZ‖LSM阳极支撑固体氧化物燃料电池的OCV.计算表明,理论积碳量从C-H-O相图的C角往积碳界线处以均匀速率减小.当积碳全部发生电化学氧化时,建议提高燃料气的碳氢比以获得较高OCV;反之则建议减小碳氢比.当燃气组分接近位于C-H-O相图中OCV界线(OCV=0 V)时,OCV会发生急剧下降.同样地,实验表明,当燃气中CO2体积分数高于80%,会使得OCV大幅下降.综上可知,燃料气组分控制在积碳界线附近将有利于减少积碳并保证一定的电池发电性能.600℃时,在积碳界线的非积碳区侧,提高燃气中氢含量可提高OCV.而采用相同含量的CO2稀释时,CH4、H2和CO燃气下电池的OCV则依次降低.另外,实验表明升高外重整比例和降低温度,并不能显著提高OCV
文档格式:PDF 文档大小:811.36KB 文档页数:10
总结讨论了熔锍及熔融金属中元素选择性氧化的行为,举出镍锍中Ni与S,铁液中Cr、V、Nb、Mn或P与C作为应用的实例。利用热力学分析提出氧化的转化温度的概念,并指出二步及一步计算该温度的方法。在排除新相生成的晶核能的条件下,氧化的转化温度与氧的存在形式(无论是气态O2,熔于金属液中的[O]或炉渣中的FeO)以及氧的压力或活度无关,而只决定于参加反应的物质及产物的本质及活度(压力)。同时,转化温度不是一成不变的温度,而是随着熔池组成的改变而不断地变化。降低气体氧化产物的分压将有助于降低氧化的转化温度。理论计算的转化温度可提供使熔池中一个元素的优先氧化而使另一元素保留不变的最佳条件。小型试验和工业上实践证明,转化温度的概念可以成功地控制吹炼操作,作到按意图进行选择性氧化。影响熔池内元素氧化顺序的动力学因素也作了简略的分析。对镍锍脘S,不锈钢脱C以及高碳锰铁降C的吹炼,熔池温度永选要高于相应熔池组成的转化温度。而对铁水脱Cr和铁水提V或Nb,熔池温度则应保持低于相应熔池组成的转化温度。P、C在铁水中的氧化顺序,除与转化温度有关外,还取决于熔渣组成以及CO承担的压力
文档格式:DOC 文档大小:228KB 文档页数:27
CHOICE OF LAW IN INTEGRATED AND INTERCONNECTED MARKETS A Matter of Political Economy Horatia Muir Watt laws as an issue of political economy can be seen as a response to the tectonic shiff t of A case of lost innocence: 2 Shifis in the public/private divide. Describing the confl traditional thinking in this field 5 a new generation of collisions of economic regulation o o currently wrought by globalisation in respect of the public/private law divide, which shape
文档格式:DOC 文档大小:1.15MB 文档页数:17
1.设物体绕定轴旋转,在时间间隔[0,内转过的角度为O,从 而转角是t的函数:a0.如果旋转是匀速的,那么称=O为该 物体旋转的角速度,如果旋转是非匀速的,应怎样确定该物体在 时刻t0的角速度?
文档格式:PDF 文档大小:94.59KB 文档页数:9
1.(01-1-03)设矩阵A满足A2+A-4E=O,其中E为单位矩阵,则(A-E)-1= 解应填(A+2E) 应设法分解出A-E因子.由A2+A-4E=O,有 (-)(a+2e)=2e,即(a-e)-(a+2e)=e
文档格式:PPT 文档大小:3.89MB 文档页数:20
第九章酸性岩类 一、概述 化学成分本类岩石的特点是SiO2含量高(>66%),一般66~78%,属 酸性过饱和岩石。碱质(K2O+Na2O)含量较高,约为7~8%Mgo、FeO、 CaO含量低
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
文档格式:PPT 文档大小:1.57MB 文档页数:14
9. 1 C++的I/O流类库的功能 9. 2 屏幕输出(写操作) 9. 3 键盘输入(读操作) 9. 4 插入符和提取符的重载 9. 5 格式化输出
文档格式:DOC 文档大小:151.5KB 文档页数:5
1、用氧化数法配平并完成下列氧化还原反应方程式 ① KMnO4+H2C2O4+H2SO4 —→ MnSO4+CO2+K2SO4 ② − − + BrO3 + Br + H —→Br2+H2O
文档格式:DOC 文档大小:100.5KB 文档页数:6
1.在 Ag+溶液中,先加入少量的 Cr2O7 2-,再加入适量的 Cl-,最后加入足够量的 S2O32-,估计每一步会有什么现象出现,写出有关的离子反应方程式
首页上页4748495051525354下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 1740 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有