一、晶体中电子的速度 二、电子在外电场作用下的加速度，有效质量，等能面 三、导体、绝缘体和半导体，布洛赫 四、振荡，空穴 五、金属的电导 六、霍尔效应

第一章 晶体结构 第二章 晶体中的电子和声子 第三章 外场作用下晶体电子的运动 第四章 固体的热学性质 第五章 固体的机械性质 第六章 半导体中的电子过程 第九章 超导电性

2.1概述 2.2半导体二极管和三极管的开关特性 2.3最简单的与、或、非门电路 2.4TTL门电路 2.6CMO门电路

2.1 概述 2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2.3 分立元件门电路 2.4 TTL门电路 2.6 CMOS门电路 2.7 其它类型的TTL门电路 2.8 TTL与CMOS电路的接口

霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于 1879 年在他的导师罗兰 指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。 六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中 得到了广泛应用

所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备

第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 存储器的并行扩展及连接方法 第五节 串行存储器的扩展方法

在半导体硅片上集成了微处理器(CPU)，存储器 (RAM、ROM、EPROM)和各种输入、输出接口。 20世纪70年代问世。 已广泛应用在： 工业自动化控制、自动检测、智能仪器仪表、家用 电器、电力电子、机电一体化设备等方面

3.1 半导体元件的开关特性 3.2 分立元件门电路 3.3 TTL集成门电路 3.4 CMOS集成门电路 3.5 集成门电路的使用

一、何謂半導體？ 二、半導體之分類 三、半導體之純度 四、半導體材料之結構 五、一般晶格所常用之術語 六、半導體材料之獲得？ 七、塊材與薄膜之關連