第一章 绪论 第二章 运算放大器 第三章 半导体二极管及其基本电路 第四章 三极管及放大电路基础 第五章 场效应管放大电路 第六章 模拟集成电路 第七章 反馈放大电路 第九章 信号处理与产生电路

§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络

§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

内容要点： 电阻器与电容器 电容器 电感器 变压器 二极管 半导体分立器件 其他常用器件 目的与要求： 了解电阻器、电容器、电感器、变压器、二极管、三极管、场效应管、晶闸管等常用电子元器件的标示方法、主要技术参数以及检测方法 掌握变压器的工作原理 掌握二极管的原理及其伏安特性

7.2.1 概念 7.2.2 影响气敏特性的因素 7.2.3 四种模式的气敏机理 1. 能级生成理论 2. 表面电荷层理论 3. 接触粒界势垒理论 4. 整体原子价控制电导理论

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

第一章 绪论 第二章 运算放大器 第三章 半导体二极管及其基本电路 第四章 场效应管放大电路 第五章 三极管及放大电路基础 第七章 模拟集成电路 第八章 反馈放大电路 第十章 信号处理与产生电路

一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管

一个能带中最高能级与最低能级之间 的间隔一般不超过 的数量级 , 由 于原子数 的数量级为 ,所以一 个能带中相邻能级间间隔约为