一 填空 单片机与普通计算机的不同之处在于其将（ ）（ ）和（ ）三部分集成于一块芯片上。 答：CPU、存储器、I/O 口 8051 与 8751 的区别是：答：内部程序存储器的类型不同 在 MCS－51 单片机中，如果采用 6MHz 晶振，1 个机器周期为（ ）。答：2us。 内部 RAM 中，位地址为 30H 的位，该位所在字节的字节地址为（ ）。答：26H 若 A 中的内容为 63H，那么，P 标志位的值为（ ）

9.1配合物的组成和命名 一、配合物的定义 凡含有配离子的化合物称为配位化合物,简称配合物。 二、配合物的组成 配合物由内界和外界两部分组成。在配合物内,提供电子对的分子或离子成为称为配位体;接受电子对的离子或电子称为配位中心离子;中心离子与配位体结合构成内界;配合物中的其他离子,构成配合物的外界

教学内容及教学过程 一、虚位移 菲自由质点或质点系的约束将限制质点或质点系沿某些方向的位移,但同时也允许沿另外一些方 向的位移。例如: 线 (x,y,2)=0 (a) (b) 虚位移:在给定瞬时(时间凝固),质点或质点系为约束允许的任何无限小位移。如果为质点系, 则其虚位移是指在不破坏约束的前提条件下,质点系一组几何相容的虚位移。 虚位移的特点: 1、虚位移必须指明给定的瞬时或位置

本文介绍了弧焊机器人在进行\V\型坡口对接焊或角接焊时,为了跟踪焊缝轨迹而进行的焊缝位置检测方法-电流检测法.通过对焊接电流信号的数字处理,提取了反映焊枪与焊缝相对位置的特征信号,定时向机器人控制器提供修正信号,从而使固定在机器人手臂上的焊枪准确地跟踪焊缝

第七章:芳烃 7-1苯的结构 7-2芳烃及其衍生物的命名 7-3单环芳烃的性质 7-4苯环的亲电取代定位规律 7-5多环芳烃

1. Names of people （ 1) ampere [5AmpeE(r) ]n.安培-----from French physicist Ampere. （2) farad [ 5fArEd ]n.[电]法拉(电容单位)-----from British physicist Faraday

1.离子电迁移率的单位可以表示成:a)ms-1(b)ms-v-1()m2s-1.v-1()s-1

§ 5.1 酸碱质子理论概述 § 5.2 水的解离平衡和溶液的pH § 5.3 弱酸、弱碱的解离平衡 5.3.1 一元弱酸、弱碱的解离平衡 5.3.2 多元弱酸的解离平衡 5.3.3 盐溶液的酸碱平衡 § 5.4 缓冲溶液 5.4.1 同离子效应 5.4.2 缓冲溶液 5.4.3 缓冲溶液pH的计算 * 5.4.4 缓冲范围和缓冲能力 § 5.5 酸碱指示剂 § 5.6 酸碱电子理论 § 5.7 配位化合物 § 5.8 配位反应与配位平衡 5.8.1 配合物的解离常数和稳定常数 *5.8.2 配体取代反应和电子转移反应 *5.8.3 配合物稳定性

基于合金元素的晶位占据特性,本文提出了一个用于研究非磁性元素Cu作用机制的模型体系,计算了它们的电子结构。结果表明:Cu置换2c晶位Co导致体系能谱向浅势阱移动,能隙减小,原子间电荷重新分布,并产生了新的由杂质贡献的态;分波局域态密度给出了体系中各原子间的轨道相互作用。对Hellmman-Feynman力的分析表明:Cu置换2c晶位Co显著降低了体系的热膨胀各向异性

一、(15分)在图一所示的电阻电路中,试求电压