1.设谐振子基态变分函数为v=Nexp(-ax2),试用归一化法求系 数N,并用变分法计算基态平均能量和参数c

(a)将电压源V接到相互串联电容的两端,这两个电容上的电压不独立,只能选择其中之一为状态变量。 (b)任一电容电压都受到其余两电容电压值的约束,若 要选取电容电压为状态变量,它们之中只有两个是独 立的

与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

一、填空(20分,每题2分) 1.对晶格常数为a的SC晶体,与正格矢R=ai+2a+2ak正交的倒格子晶面族的面指数为(),其面间距为() 2.典型离子晶体的体积为V,最近邻两离子的距离为R,晶体的格波数目为(),长光学波的()波会引起离子晶体宏观上的极化

广东省使用家用空气源热泵热水器碳普惠方法学(2019年修订版)(编号2017005-V02)

Molecular Biology of the Gene, 5/E---Watson et al. (2004) Part: Chemistry and Genetics Part ll: Maintenance of the Genome Part Ill: Expression of the Genome Part IV: Regulation Part V: Methods

Gene,5/e--- Watson et al.(2004) Part: Chemistry and Genetics Part ll: Maintenance of the Genome Part Ill: Expression of the Genome Part IV: Regulation Part V: Methods

4场效应管放大电路 4.1.1试从图4.1.5b的输出特性中,作出vs=4V时的转移特性

第一章化学热力学基础 1-1:注意S单位制,PaxL1×103=J.(1)-1750,(2)3500J 1-2:(1)-3000J;(2)-300J注意符号和运算准确 1-3:体系复原是△z=0(△=0),非状态函数W≠0 Wp外△V只适用于(恒外压过程的每一步不适用于有多步的

Unit One Text B Unit One Text B Pre-reading Task ll. Related\\ Information lll. Outline& Summary IV. Detailed Study V. Home Assignment By Mr. Dai Mingyuan