10.1 概述 10.2 多极点系统 10.3 相位裕度 10.4 频率补偿 10.5 两级运放的补偿 10.5.1 两级运放中的压摆率限制 10.6 其他补偿技术

采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98．7%的60% SiCp/Al高体积分数复合材料．SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7．10-7．75)×10-6K-1之间,室温热导率为170W·m-1·K-1,能够完全满足电子封装的技术要求．

17-1.PWM调速基本原理 17-2.P89V51RD2的PWM功能模块结构与应用 17-3.智能小车电机调速案例分析 17-4.课后思考和实验准备

在MOS电容金属电极上，加以脉冲电压，排斥掉半 导体衬底内的多数载流子，形成“势阱”的运动， 进而达到信号电荷（少数载流子）的转移。 图像传感器：转移的信号电荷是由光像照射产生； 若所转移的电荷通过外界诸如方式得到，则其可以 具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功 能

6.1 概述 6.2 Intel 8254 6.3 8254在微机中应用 6.4 实时钟电路及其应用 6.5 Win32编程中的时钟（自学）

采用线性极化电阻技术和交流阻抗技术研究了锅炉水冷管材在过氧化氢溶液钝化条件下的电化学特征,结合SEM电子扫描技术对不同钝化条件下的钝化膜成膜形貌进行观察测量.实验结果表明,在柠檬酸漂洗后采用过氧化氢钝化的过程中,当过氧化氢的质量分数为0.1%,溶液pH为9.5,亚铁离子的质量浓度为100 mg·L-1且氯离子的质量浓度低于50 mg·L-1时钝化效果最好,钝化膜成膜形貌较为完整,管材抵抗外界腐蚀的能力最强

⚫掌握输入/输出接口电路和基本概念、掌握I/O端口编址方法和特点及地址译码方法。 ⚫掌握CPU与外设数据传送的方式方法。 ⚫掌握并行数据接口的基本概念、可编程输入/输出接口芯片8255A的结构、应用及编程方法。 ⚫掌握串行数据接口的基本概念、RS232C串行接口标准、可编程串行接口芯片8250的结构、应用及编程方法。 ⚫ 6.1 微型计算机接口技术概述 ⚫ 6.2 输入与输出 ⚫ 6.3 并行数据接口 ⚫ 6.4 串行数据接口 ⚫ 6.5 DMA接口 ⚫ 6.6 8253可编程定时计数器 ⚫ 6.7 数/模、模/数转换器及其与CPU的接口

第8章并行接口与应用 8.1并行接口的基本概念 8.2可编程并行接口芯片8255A 8.3可编程并行接口芯片8155 8.4单片机与键盘和数码管显示器的接口电路

2.1MCS-51单片机的内部结构 2.2PU的结构 2.3MCS-51单片机存储器 2.4时钟电路及时序 2.5输入/输出端口 2.6MCS-51单片机的引脚功能 2.7MCS-51单片机的工作方式

3.1 电子轰击源（Electron impact ionization,EI） 3.2 化学电离源（Chemical ionization source, CI） 3.3 场致和场解吸电离源（FI & FD) 3.4 快原子轰击源( Fast atom bombardment, FAB)和液体二次离子质谱 （Liquid secondary ion mass spectrometry, LSIMS） 3.5大气压电离（Atmospheric pressure ionization, API） 3.6 基质辅助激光解吸电离（Matrix assisted laser desorption ionization, MALDI) 3.7 无机质谱电离源 3.8 二次离子质谱(Second ion mass spectrometry, SIMS)