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全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2005年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:209.5KB 文档页数:6
一、填空题(每小题 1 分,共 10 分) 1. 随着温度升高,二极管的反向电流将 。 2. 差动放大电路提出的主要目的是为了解决普通放大电路的 问题
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2003年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:358KB 文档页数:4
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 1 分,共 10 分) 1.功率放大器的效率是指( )。 A.输出功率与输入功率之比 B.输出功率与电源供给功率之比 C.输出功率与管耗之比 D.管耗与电源功率之比
全国高等教育自学考试:《电子技术—基础试题二)》2002年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:321.5KB 文档页数:5
一、填空题(每空 1 分,共 10 分) 1. 二极管的主要电气特性为_________。 2. 三极管若发射极正偏,集电极也正偏时,此时三极管处在_________工作状态
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:266.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:275KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2003年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:336.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:99.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:526.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流
东南大学远程教育:《医学人文学概论》教学资源(PPT课件)第四章 医疗科技伦理学 医疗科技伦理学
文档格式:PPT 文档大小:97.5KB 文档页数:57
◼ 第一节 医疗科技伦理观 ◼ 第二节 临床技术应用伦理 ◼ 第三节 人体实验意义和伦理问题 ◼ 第四节 生殖技术伦理问题 ◼ 第五节 器官移植
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