Visual Basic中,每个对象都一个相对其容器的坐标,也就是说,每个对象都是存在于一个容器中的,例如,体的容器是整个屏幕,而窗体中的每个控件的容器就是这个窗体或者是窗体中的某个容器控件(如图形框等)。对于每一个容器来说,都需要有一个坐标系,在中学数学中讲过:构成一个坐标系需要有以下三个要素:坐标原点,坐标度量单位,坐标轴的M长度与单位。坐标度量单位由容器的 ScaleMode属性决定, ScaleMode属性 设置如表所示

传染病是由病原生物侵入人体所引起的，并能传染给他人的疾病。 特征：传染性、流行性、季节性、地方性；

第一节 疾病史——医学对象的变化 第二节 医学史的分类——时间、事件、观点、历史逻辑 第三节 古代医学 第四节 近现代医学——起源、特点、缺陷 第五节 未来医学发展趋势

第一节 《医疗事故处理条例》概述 第二节 医疗事故的预防与处置 第三节 医疗事故技术鉴定 第四节 医疗事故的行政处理和监督 第五节 法律责任

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素