探讨了ZnTiO3薄膜掺杂Cu元素对于薄膜性质、相变化与微结构之影响.实验是在一定温度下以射频磁控溅镀系统将铜沉积于ZnTiO3陶瓷靶上,控制沉积于ZnTiO3陶瓷靶上铜含量之后,再沉积掺杂铜的钛酸锌薄膜于SiO2/Si基板上.成长出来的薄膜经由ESCA分析得知铜的质量分数分别为0.84%、2.33%和2.84%.从XRD分析常温下掺杂Cu的ZnTiO3薄膜为非晶质态,经过600℃退火后,ZnTiO3薄膜则由非晶质态转变成Zn2Ti3O8结晶相,而未掺杂铜的ZnTiO3薄膜在600℃退火时并没有结晶相产生.ZnTiO3薄膜经过900℃退火后,Zn2Ti3O8相分解成Zn2TiO4相和TiO2相,且ZnTiO3晶格常数因为Cu离子置换至Zn离子的位置有变小的趋势.由TEM分析证实Cu离子与Zn离子的置换,导致晶格应变产生双晶缺陷.经由XRD、SEM和TEM分析得知掺杂太多的铜会抑制TiO2相的生成,而随着过多的Cu析出,晶体平均晶粒慢慢变小晶格应变也随之降低,以致晶格常数回复往原来晶格常数方向趋近

8.1 可编程接口芯片概述 ❖片选概念 ❖读/写概念 ❖可编程接口的概念 ❖“联络”的概念 8.2 可编程并行接口芯片8255A ❖8255A的结构和引脚功能 ❖8255A的工作方式 ❖8255A的初始化 ❖8255A的应用举例 ❖16位系统中的并行接口 8.3 可编程定时器/计数器8253-5 ❖可编程定时器/计数器的基本工作原理 ❖8253-5的结构和功能 ❖8253-5的工作方式 8.4 串口接口芯片 ❖串行通信概述 ❖串行接口原理 ❖可编程通信接口8251A 8.5 模拟接口 ❖概述 ❖数/模转换器DAC0832及其接口 ❖模/数转换器ADC0809及其接口

(一)实验目的 1.了解和掌握湿物料连续流化干燥的方法 2.了解和掌握干燥操作中物料、热量衡算和体积对流传热系数a1的估算方法。 (二)实验原理 干燥操作是采用某种方式将热量传给含水物料,使含水物料中水分蒸发分离的操作, 干燥操作同时伴有传热和传质。 以1kg绝干空气为基准,湿度H为湿空气中水气的质量与绝千空气的质量之比: H=湿空气中水气的质量/湿空气中绝干空气的质量对水蒸气空气系统 H=18×水蒸气摩尔数/(29×空气摩尔数)=0.622×水蒸气摩尔数/空气摩尔数 常压下视为理想气体

《大学生心理健康教育》课程教学大纲 《大学生职业发展与就业指导》课程教学大纲 《力学》课程教学大纲 《热学》课程教学大纲 《电磁学》课程教学大纲 《光学》课程教学大纲 《原子物理学》课程教学大纲 《理论力学》课程教学大纲 《电动力学》课程教学大纲 《热力学与统计物理》课程教学大纲 《量子力学》课程教学大纲 《电子技术基础》课程教学大纲 《电工学》课程教学大纲 《数学物理方法》课程教学大纲 《固体物理学》课程教学大纲 《物理教学论》课程教学大纲 《计算物理学》课程教学大纲 《粒子物理基础》课程教学大纲 《材料物理》课程教学大纲 《高等原子分子物理》课程教学大纲 《量子力学Ⅱ》课程教学大纲 《强场物理进展》课程教学大纲 《物理学史》课程教学大纲 《现代分析技术》课程教学大纲 《现代物理学进展》课程教学大纲 《科技论文写作》课程教学大纲 《专业英语》课程教学大纲 《通信原理》课程教学大纲 《信号与系统》课程教学大纲 《教育见习》课程教学大纲 《教育实习》课程教学大纲 《学年论文》课程教学大纲 《毕业论文》课程教学大纲

8.1 系统并行扩展结构 8.2 地址空间分配和外部地址锁存器 8.2.1 存储器地址空间分配 8.2.2 外部地址锁存器 8.3 静态数据存储器RAM的并行扩展 8.3.1 常用的静态RAM（SRAM）芯片 8.3.2 外扩数据存储器的读写操作时序 8.3.3 AT89S52单片机与RAM的接口设计与软件编程 8.4 片内Flash存储器的编程 8.4.1 使用通用编程器的程序写入 8.4.2 使用下载线的ISP编程 8.5 E2PROM的并行扩展 8.5.1 并行E2PROM芯片简介 8.5.2 E2PROM的工作方式 8.5.3 AT89S52单片机扩展E2PROM AT2864的设计

8.1 系统并行扩展结构 8.2 地址空间分配和外部地址锁存器 8.2.1 存储器地址空间分配 8.2.2 外部地址锁存器 8.3 静态数据存储器RAM的并行扩展 8.3.1 常用的静态RAM（SRAM）芯片 8.3.2 外扩数据存储器的读写操作时序 8.3.3 AT89S52单片机与RAM的接口设计与软件编程 8.4 片内Flash存储器的编程 8.4.1 使用通用编程器的程序写入 8.4.2 使用下载线的ISP编程 8.5 E2PROM的并行扩展 8.5.1 并行E2PROM芯片简介 8.5.2 E2PROM的工作方式 8.5.3 AT89S52单片机扩展E2PROM AT2864的设计

第1节 无线数据通信概述 3.1.1 概念 3.1.2 主要类别 3.1.3 特点和应用 3.1.4 网络 3.1.5 发展趋势 第2节 红外无线数据通信 3.2.1 概述 3.2.2 系统组成、原理及分类 3.2.3 特点 3.2.4 主要协议——IrDA协议集 3.2.5 红外数据网络 第3节 蓝牙技术Bluetooth 第4节 基于802.11的无线局域网 3.4.1 无线局域网概述 3.4.2 无线局域网网络硬件 3.4.3 网络拓扑结构 3.4.4 网络协议IEEE802.11 3.4.5 无线局域网的频段分配 3.4.6 无线局域网的发展趋势 3.4.7 Wi-Fi新闻 第5节 紫蜂技术ZigBee 3.5.1 简介 3.5.2 协议套件 3.5.3 技术特点 3.5.4 主要应用领域

含氟矿石中生物浸出技术推广应用存在瓶颈,究其原因在于伴随含氟脉石矿物溶解,氟对浸矿微生物有较强的抑制作用.本研究利用氟的水化学特性,通过添加可形成稳定络合物的物质来转换F离子存在形态,进而使浸矿微生物可以耐受高氟环境.本文系统研究了氟对细菌的抑制机理,明确了氟的真实毒性形态HF,发现了氟对细菌存在跨膜抑制作用,氟胁迫条件下,干细胞内氟离子质量分数明显高于无氟对照组达到18%以上.选择在生物冶金体系中常见Fe3+做为研究对象,研究了Fe3+对F-的络合解毒作用,热力学分析结果可知,Fe3+可以与HF发生一级竞争络合反应,破坏HF络合结构.在铁离子存在条件下,细菌最高可以耐受F-质量浓度1.0 g·L-1的环境下生长.铁氟络合形态分析可知,只有当培养基中Fe3+质量浓度5倍过量于F-质量浓度,细菌才能正常生长,对应的FeF2+在氟化物中质量分数达45%时,而游离氟离子浓度为2.87×10-5 mol·L-1.络合机理实验结果表明,根据配位化学原理,随着F-/Fe3+浓度比的减小,配体浓度相对较低,氟与铁的络合物向低配位方向移动,可以通过调整培养基中的氟铁浓度比来调整氟铁络合产物,使细菌在高氟环境中生长成为可能

首先介绍了氧气高炉的发展历程，早期的研究工作主要着眼于解决由于氧气代替空气鼓风而引起的“上冷下热”问题，并总结了各国研究者提出的氧气高炉流程及其主要特点。随后系统阐述了北京科技大学科研人员在氧气高炉工艺基础研究与工程技术开发方面所取得的主要进展。这些研究包括氧气高炉流程设计，含铁炉料还原与软熔，氧气鼓风及循环煤气喷吹条件下的煤粉燃烧，循环煤气加热过程中的物理化学变化等炉内反应与变化，以及在此基础上开展的回旋区及全炉数值模拟研究，为氧气高炉的工程化实施奠定理论基础。最后对氧气高炉的碳素流及节碳潜力进行了分析，并提出富氢碳氢循环氧气高炉将成为炼铁低碳化的重要发展方向

系统地研究了耐高温菌sulfolobus的生长特性.sulfolobus在65℃以上能良好地生长,并对亚铁和元素硫均具有较好的氧化作用;在75℃时,sulfolobus氧化Fe2+和元素硫的活性最强,细菌的生长曲线和细菌氧化Fe2+和元素硫的趋势一致.给出了细菌生长过程溶液SO42-和pH的变化趋势;以黄铜矿精矿为培养基对sulfolobus进行了适应性培养,并在75℃下进行了黄铜矿摇瓶浸出研究.结果显示:适应性驯化后的sulfolobus在黄铜矿精矿上生长与浸矿性能良好;当矿浆质量分数在10%以下,浸出150h,Cu浸出率可达90%以上;而矿浆质量分数在15%以上时,浸出350h,浸出率仅80%.同时还研究了浸出体系溶液氧化还原电位Eh和pH随时间的变化规律