第一节 常用氧化剂 第二节 氧化反应

化学反应体系 热力学基本方程 化学反应的方向与限度 为什么化学反应通常不能进行到底 化学反应亲和势

第一节 免疫学技术的范畴与应用 一、免疫学技术的范畴 二、免疫学技术的应用特点 第二节 有关免疫学基本概念 一、抗原的概念与属性 二、免疫细胞的概念与分类 三、免疫应答的概念与过程 第三节 抗原抗体反应的基本原理 一、抗原抗体反应的原理 二、抗原抗体反应的特点 三、影响抗原抗体反应的因素 第四节 免疫学检测技术的评价 一、评价标准 二、特异性与敏感性的关系 第一节 抗原/免疫原制备的基本概念 一、抗原制备的目的 二、抗原的“纯度” 三、抗原制备的主要技术途径 第二节 完全抗原/免疫原的制备方法 一、颗粒性抗原的制备 二、可溶性抗原的制备 第三节 半抗原免疫原制备的方法 一、载体的选择 二、半抗原与载体的联接

一. 反应的类型 二. 反应机理 1. E1机理 2. 单分子共轭碱消除 (E1CB) 机理 3. E2机理 三.影响反应机理的因素 1. 底物 2. 碱 3. 离去基团 4. 溶剂

3.4化学反应的限度--化学平衡 一、可逆反应与化学平衡 二、标准平衡常数 三、化学反应等温方程式 四、化学平衡的移动

一. 亲电加成反应 （一）. 亲电加成反应 (Electrophilic Addition) 1. 正碳离子机理 2. 翁型离子机理 3. 三分子加成机理 4. 炔烃的亲电加成 二. 亲电加成反应活性(Reactivity) 1. 底物 2. 试剂

采用热分析法对多组元铝热剂Fe2O3-CrO3-NiO-Al的反应行为进行了研究.结果发现,CrO3的分解、气化、挥发等热特性强烈影响铝热剂反应行为和反应产物的成分

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

第一章 取代基效应 第二章 立体化学 第三章 有机反应活性中间体 第四章 饱和碳原子上的亲核取代反应 第五章 芳环上的取代反应 第六章 碳碳重键的加成反应

设计了非反应性保护渣,利用热丝法和渣膜热流模拟仪研究了Li2O含量对其结晶行为和渣膜传热特性的影响.结果表明:在小于2%的范围内增加Li2O的质量分数可减弱非反应性保护渣的结晶性能;而在2%~5%范围内增加Li2O的质量分数,则渣系晶体析出孕育时间缩短,结晶温度升高,临界冷却速度增大,结晶速率常数增大,即促进了非反应性渣系的结晶.同时发现,在2%~5%范围内增加Li2O的质量分数,非反应性保护渣的最大热流密度、平均热流密度及特征时间均减小