第一节 材料物理性质 第二节 材料的力学性质

1.姚穆.纺织材料学.第二版.纺织工业出版社,1990 2.赵书经.纺织材料实验教程.纺织工业出版社,1989 3.李栋高、蒋蕙钧.丝绸材料学.中国纺织出版社,1994

1、材料设备的腐蚀与防护基本原理 2、设备腐蚀防护技术 3、材料的选用 4、保温目的 5、保温材料介绍 6、保温结构与施工

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

5.2.1能带结构 5.2.3导电材料与电阻材料 5.2.4其他材料的导电性能

➢关于材料 ➢材料的性能 ➢材料的分类 ➢研究内容及目的

高温质子导体固体电解质 Ba3Ca1+xNb2−xO9−δ 化学性质稳定，中低温电导率较高，具有较好的应用前景. 采用固相合 成法制备得到了复合钙钛矿相的 Ba3Ca1+xNb2−xO9−δ（x=0、0.10、0.18、0.30）材料. 随着 Ca 掺杂量的增加 Ba3Ca1+xNb2−xO9−δ 样 品的电导率先增加后降低，x=0.18 的样品电导率最高. Ba3Ca1+xNb2−xO9−δ 材料在含氢中的电子空穴迁移数较低，当温度低于 750 ℃ 时，材料中质子导电为主；当温度达 800 ℃ 后，材料中氧离子导电为主. x=0.10 的样品质子迁移数最高，随着掺杂量的 增加样品氧离子迁移数逐渐增大，质子迁移数逐渐降低

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

1、汽车轻量化制造进展及需求 2、汽车用材料的分类及发展 3、汽车材料加工技术及发展 4、汽车轻量化制造中的材料加工新技术 5、结语

1. 什么是材料基因工程 2. 材料基因工程工作模式 3. 数据驱动的材料创新 4. 总结