1. PLD期间的发展历程 2. PLD器件的基本结构 3. 基于存储器的PLD器件原理 4. PLA和PAL器件原理 5. GAL器件原理 6. CPLD器件原理 7. FPGA原理 7. Altera公司的PLD器件综述 8. Xilinx公司的PLD器件综述 9. Lattice公司的PLD器件综述 10. PLD器件的配置与编程 11. PLD器件中的JTAG技术和ISP技术

测定了国产原丝和进口原丝的力学性能，并用化学分析、凝胶渗透色谱仪、X衍射仪、热分析仪、扫描电镜和光学显微镜等手段，对原丝的化学成分、分子量、热性能、结晶度、取向度以及微观结构进行了研究，在此基础上，分析和讨论了原丝结构和性能之间的相互关系．

一、一元函数积分的概念、性质与基本定理 1、原函数、不定积分 在区间上,如F(x)=f(x),称f(x)为F(x)的导函数,称 F(x)为f(x)的原函数,原函数与导函数是一种互逆关系。 如F(x)为f(x)的一个原函数,则F(x)+C为f(x)的全体原 函数

一、氧化还原反应的基本概念 1基本概念(氧化数、氧化性、还原性等) 2氧化还原反应方程式的配平 二水溶液中的氧化还原反应和电极电势 1原电池的定义、组成、表示方法 2标准电极电势(Electrode Potential) 3电池的电动势和吉布斯自由能的关系

一、滴定曲线 在氧化还原滴定中，随着标准溶液的加入，被测 物氧化态和还原态的浓度逐渐改变，因而其电位也 随之不断改变，其变化情况可用氧化还原滴定曲线 表示： 与V的关系曲线

l.以堆积模型计算由同种原子构成的同体积的体心和面心 立方晶体中的原子数之比 [解答] 设原子的半径为R体心立方晶胞的空间对角线为4R,晶胞的 边长为4R/3,晶胞的体积为(4R/3)3,一个晶胞包含两个原 子,一个原子占的体积为4R/3)/2,单位体积晶体中的原子 数为2(4R/3);面心立方晶胞的边长为4R/√2,晶胞的体

绪论 第一章 植物病害的概念和症状 第一节 植物病害的定义 第二节 侵染性病害和非侵染性病害 第三节 植物病害的症状 第二章 植物病原学 第一节 植物病原真菌 第二节 植物病原原核生物 第三节 植物病原病毒 第四节 物病原线虫 第五节 寄生性种子植物 第三章 病原物的侵染过程和病害循环 第四章 病原物的致病性和植物的抗病性 第四章 植物病害的流行和预测 第五章 植物病害的防治

本章内容包括氧化还原反应及其特点；条件电位及其影响因素；氧化还原反应进行程度的判断；影响氧化还原反应速度的因素；氧化还原滴定曲线及其特点、指示剂；滴定前的试样预处理；碘量法、高锰酸钾法、亚硝酸钠法基本原理及测定条件、指示剂、标准溶液的配制与标定；溴酸钾法、溴量法、重铬酸钾法、铈量法和高碘酸钾法的基本原理

一、一元函数积分的概念、性质与基本定理 1、原函数、不定积分 在区间上,如F(x)=f(x),称f(x)为F(x)的导函数,称 F(x)为f(x)的原函数,原函数与导函数是一种互逆关系。 如F(x)为f(x)的一个原函数,则F(x)+C为f(x)的全体原 函数

§1.8.1 基本指标 §1.8.2 功率放大器设计原则 §2.1微波混频器件 §2.2肖特基势垒二极管 §2.3非线性电阻混频原理 §2.4微波混频器电路